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1. (WO2016003741) FABRICATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE CELLULES SOLAIRES À L'AIDE D'UNE IMPLANTATION D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/003741    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/037523
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 24.06.2015
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/0216 (2014.01)
Déposants : SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : SMITH, David D.; (US).
WEIDMAN, Timothy; (US).
WESTERBERG, Staffan; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/320,438 30.06.2014 US
Titre (EN) SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING ION IMPLANTATION
(FR) FABRICATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE CELLULES SOLAIRES À L'AIDE D'UNE IMPLANTATION D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)Methods of fabricating solar cell emitter regions using ion implantation, and resulting solar cells, are described. In an example, a back contact solar cell includes a crystalline silicon substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first polycrystalline silicon emitter region is disposed above the crystalline silicon substrate. The first polycrystalline silicon emitter region is doped with dopant impurity species of a first conductivity type and further includes ancillary impurity species different from the dopant impurity species of the first conductivity type. A second polycrystalline silicon emitter region is disposed above the crystalline silicon substrate and is adjacent to but separated from the first polycrystalline silicon emitter region. The second polycrystalline silicon emitter region is doped with dopant impurity species of a second, opposite, conductivity type. First and second conductive contact structures are electrically connected to the first and second polycrystalline silicon emitter regions, respectively.
(FR)La présente invention concerne des procédés de fabrication de régions émettrices de cellules solaires à l'aide d'une implantation d'ions, et les cellules solaires ainsi obtenues. Selon un exemple, une cellule solaire à contact arrière comprend un substrat de silicium cristallisé comportant une surface de réception de lumière et une surface arrière. Une première région émettrice de silicium polycristallin est disposée au-dessus du substrat de silicium cristallisé. La première région émettrice de silicium polycristallin est dopée avec des espèces d'impuretés dopantes d'un premier type de conductivité et comprend en outre des espèces d'impuretés auxiliaires différentes des espèces d'impuretés dopantes du premier type de conductivité. Une seconde région émettrice de silicium polycristallin est disposée au-dessus du substrat de silicium cristallisé et est adjacente à la première région émettrice de silicium polycristallin mais est séparée de cette dernière. La seconde région émettrice de silicium polycristallin est dopée avec des espèces d'impuretés dopantes d'un second type de conductivité opposé. Des première et seconde structures de contact conductrices sont électriquement connectées aux première et seconde régions émettrices de silicium polycristallin, respectivement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)