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1. (WO2016003602) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT SÉLECTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/003602 N° de la demande internationale : PCT/US2015/034679
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 08.06.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
YIEH, Ellie Y.; US
NEMANI, Srinivas D.; US
GODET, Ludovic; US
FAN, Yin; US
MA, Tristan; US
Mandataire :
PATTERSON, B. Todd; US
Données relatives à la priorité :
62/020,65103.07.2014US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR SELECTIVE DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT SÉLECTIF
Abrégé :
(EN) Methods for forming fin structures with desired materials formed on different locations of the fin structure using a selective deposition process for fin field effect transistors (FinFETs) are provided. In one embodiment, a method of forming a structure with desired materials on a substrate includes depositing a first material on a substrate having a three-dimensional (3D) structure formed thereon while performing an implantation process to dope a first region of the 3D structure. The first material may be removed and a second material may be deposited on the 3D structure. The second material may selectively grow on a second region of the 3D structure.
(FR) L'invention concerne des procédés destinés à former des structures en nervure comportant des matériaux souhaités formés sur différents emplacements de la structure en nervure en utilisant un processus de dépôt sélectif pour des transistors à effet de champ en nervure (FinFET). Dans un mode de réalisation, un procédé de formation d'une structure comportant des matériaux souhaités sur un substrat comprend les étapes consistant à déposer un premier matériau sur un substrat sur lequel est formée une structure tridimensionnelle (3D) tout en réalisant un processus d'implantation pour doper une première région de la structure 3D. Le premier matériau peut être éliminé et un deuxième matériau peut être déposé sur la structure 3D. Le deuxième matériau peut croître sélectivement sur une deuxième région de la structure 3D.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)