WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016003602) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT SÉLECTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/003602    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/034679
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 08.06.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : YIEH, Ellie Y.; (US).
NEMANI, Srinivas D.; (US).
GODET, Ludovic; (US).
FAN, Yin; (US).
MA, Tristan; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
62/020,651 03.07.2014 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR SELECTIVE DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT SÉLECTIF
Abrégé : front page image
(EN)Methods for forming fin structures with desired materials formed on different locations of the fin structure using a selective deposition process for fin field effect transistors (FinFETs) are provided. In one embodiment, a method of forming a structure with desired materials on a substrate includes depositing a first material on a substrate having a three-dimensional (3D) structure formed thereon while performing an implantation process to dope a first region of the 3D structure. The first material may be removed and a second material may be deposited on the 3D structure. The second material may selectively grow on a second region of the 3D structure.
(FR)L'invention concerne des procédés destinés à former des structures en nervure comportant des matériaux souhaités formés sur différents emplacements de la structure en nervure en utilisant un processus de dépôt sélectif pour des transistors à effet de champ en nervure (FinFET). Dans un mode de réalisation, un procédé de formation d'une structure comportant des matériaux souhaités sur un substrat comprend les étapes consistant à déposer un premier matériau sur un substrat sur lequel est formée une structure tridimensionnelle (3D) tout en réalisant un processus d'implantation pour doper une première région de la structure 3D. Le premier matériau peut être éliminé et un deuxième matériau peut être déposé sur la structure 3D. Le deuxième matériau peut croître sélectivement sur une deuxième région de la structure 3D.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)