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1. (WO2016003589) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM) DE LIGNES DE MOTS D'ÉCRITURE DOUBLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/003589 N° de la demande internationale : PCT/US2015/034160
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 04.06.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 16.04.2016
CIB :
G11C 8/14 (2006.01) ,G11C 11/412 (2006.01) ,G11C 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
14
Organisation de lignes de mots; Disposition de lignes de mots
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
412
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
20
Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p.ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : JUNG, Seong-Ook; US
YANG, Younghwi; US
SONG, Stanley Seungchul; US
YEAP, Choh Fei; US
WANG, Zhongze; US
Mandataire : TOLER, Jeffrey G.; US
Données relatives à la priorité :
14/320,02430.06.2014US
Titre (EN) DUAL WRITE WORDLINE SRAM CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM) DE LIGNES DE MOTS D'ÉCRITURE DOUBLES
Abrégé :
(EN) A static random-access memory (SRAM) memory cell includes a pair of cross-coupled inverters and a gating transistor coupled to a first node of a first inverter of the pair of cross-coupled inverters. A gate of the gating transistor is coupled to a first wordline. The gating transistor is configured to selectively couple a bitline to the first node of the first inverter responsive to a first wordline signal. The first inverter has a second node coupled to a second wordline. The first wordline and the second wordline are each independently controllable.
(FR) La présente invention concerne une cellule de mémoire de mémoire vive statique (SRAM) qui comprend une paire d'inverseurs interconnectés et un transistor de grille couplé à un premier nœud d'un premier inverseur de la paire d'inverseurs interconnectés. Une grille du transistor de grille est couplée à une première ligne de mots. Le transistor de grille est conçu pour coupler de manière sélective une ligne de bits au premier nœud du premier inverseur en réponse à un premier signal de ligne de mots. Le premier inverseur possède un second nœud couplé à une seconde ligne de mots. La première ligne de mots et la seconde ligne de mots peuvent être commandées chacune indépendamment.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)