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1. (WO2016003205) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/003205 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/006787
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 01.07.2015
CIB :
H01L 33/36 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
Déposants :
서울바이오시스 주식회사 SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안산시 단원구 산단로 163번길 65-16 65-16, Sandan-ro 163beon-gil Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851, KR
Inventeurs :
서덕일 SUH, Duk Il; KR
김예슬 KIM, Ye Seul; KR
김경완 KIM, Kyoung Wan; KR
우상원 WOO, Sang Won; KR
김지혜 KIM, Ji Hye; KR
Mandataire :
특허법인에이아이피 AIP PATENT & LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 14길 30-1 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935, KR
Données relatives à la priorité :
10-2014-008201401.07.2014KR
10-2015-001107023.01.2015KR
10-2015-009149226.06.2015KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(KO) 발광 소자
Abrégé :
(EN) Disclosed is a light emitting element. The light emitting element comprises: a first conductive type semiconductor layer; a mesa that includes an active layer and a second conductive type semiconductor layer; a current blocking layer; a transparent electrode at least partially covering the current blocking layer; a first electrode that includes a first electrode pad and a first electrode extension; a second electrode that includes a second electrode pad and a second electrode extension; and an insulation layer partially located on the lower portion of the first electrode, wherein the mesa includes at least one groove formed on a side thereof, the first conductive type semiconductor layer is partially exposed through the groove, the insulation layer includes an opening through which the exposed first conductive type semiconductor layer is at least partially exposed, the first electrode extension includes one or more extension contact portions that are brought into contact with the first conductive type semiconductor layer through an opening, and the second electrode extension includes an end that has a width different from the average width of the second electrode extension.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent. L'élément électroluminescent comprend : une couche semi-conductrice de premier type de conductivité ; un mésa comprenant une couche active et une couche semi-conductrice de second type de conductivité ; une couche de blocage de courant ; une électrode transparente recouvrant au moins partiellement la couche de blocage de courant ; une première électrode qui inclut une première plage d'accueil d'électrode et une première extension d'électrode ; une seconde électrode qui comprend une seconde plage d'accueil d'électrode et une seconde extension d'électrode ; et une couche d'isolation partiellement située sur la partie inférieure de la première électrode, lequel mésa comprend au moins une rainure formée sur un côté de celui-ci, laquelle couche semi-conductrice de premier type de conductivité est partiellement exposée à travers la rainure, laquelle couche d'isolation comprend une ouverture à travers laquelle la couche semi-conductrice de premier type de conductivité exposée est au moins partiellement exposée, laquelle première extension d'électrode comprend une ou plusieurs parties de contact d'extension qui sont mises en contact avec la couche semi-conductrice de premier type de conductivité à travers une ouverture, et laquelle seconde extension d'électrode comprend une extrémité qui a une largeur différente de la largeur moyenne de la seconde extension d'électrode.
(KO) 발광 소자가 개시된다. 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사; 전류 차단층; 전류 차단층을 적어도 부분적으로 덮는 투명 전극; 제1 전극 패드 및 제1 전극 연장부를 포함하는 제1 전극; 제2 전극 패드 및 제2 전극 연장부를 포함하는 제2 전극; 및 제1 전극의 하부에 부분적으로 위치하는 절연층을 포함하고, 메사는 그 측면에 형성된 적어도 하나의 그루브를 포함하되, 그루브를 통해 제1 도전형 반도체층이 부분적으로 노출되고, 절연층은 노출된 제1 도전형 반도체층을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부를 포함하고, 제1 전극 연장부는 개구부를 통해 제1 도전형 반도체층과 컨택되는 하나 이상의 연장부 컨택 부분을 포함하고, 제2 전극 연장부는 제2 전극 연장부의 평균 폭과 다른 폭을 갖는 끝단을 포함한다.
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Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)