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1. (WO2016002944) CAPTEUR DE GAZ ET RÉSEAU DE CAPTEURS DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002944    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/069323
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 03.07.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.12.2015    
CIB :
G01N 27/416 (2006.01)
Déposants : KAKE EDUCATIONAL INSTITUTION [JP/JP]; 1-1, Ridai-cho, Kita-ku, Okayama-shi, Okayama 7000005 (JP)
Inventeurs : AKIYAMA, Norio; (JP)
Mandataire : TAKASHIMA, Hajime; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-139118 04.07.2014 JP
Titre (EN) GAS SENSOR AND GAS SENSOR ARRAY
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET RÉSEAU DE CAPTEURS DE GAZ
(JA) ガスセンサ及びガスセンサアレイ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a gas sensor capable of operation at room temperature and repeated use, the gas sensor exhibiting sufficiently high sensitivity. In this gas sensor, a semiconductor nanowire (4) is arranged between counter electrodes (2, 3), and in a state in which the semiconductor nanowire (4) can be illuminated with light, the change in current associated with adsorption of gas onto the semiconductor nanowire is measured, the change in current being observed in the photocurrent produced when the semiconductor nanowire (4) is illuminated with light while a voltage is being applied to the counter electrodes (2, 3).
(FR)L'invention concerne un capteur de gaz capable de fonctionner à température ambiante et d'être utilisé de façon répétée, le capteur de gaz présentant une sensibilité suffisamment élevée. Dans ce capteur de gaz, un nanofil de semi-conducteur (4) est agencé entre des contre-électrodes (2, 3), et dans un état dans lequel le nanofil semi-conducteur (4) peut être éclairé par de la lumière, le changement de courant associé à une adsorption de gaz sur le nanofil de semi-conducteur est mesuré, le changement de courant étant observé dans le courant photoélectrique produit lorsque le nanofil semi-conducteur (4) est éclairé avec de la lumière tandis qu'une tension est appliquée aux contre-électrodes (2, 3).
(JA) 室温で動作し、繰り返し使用が可能であり、十分に高い感度を示す、ガスセンサを提供する。 対向電極2、3の間に半導体ナノワイヤー4が配置され、該半導体ナノワイヤー4は光が照射され得る状態にあり、該対向電極2、3に電圧が印加された状態で該半導体ナノワイヤー4に光が照射されて発生する光電流の、該半導体ナノワイヤーへのガスの吸着に伴う電流変化を計測する、ガスセンサ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)