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1. (WO2016002916) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002916    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/069217
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 26.06.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP).
OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 565-0871 (JP)
Inventeurs : AZUMO, Shuji; (JP).
MORISHIMA, Masato; (JP).
OUCHI, KENJI; (JP).
KATOU, Taiki; (JP).
WATANABE, Heiji; (JP).
SHIMURA, Takayoshi; (JP).
HOSOI, Takuji; (JP)
Mandataire : BECCHAKU, Shigehisa; Lusis Bldg. 2nd Floor, 16-1, Higashi Shinbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-136918 02.07.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体デバイス及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a semiconductor device with which it is possible to sufficiently improve channel mobility. The surface layer of a silicon carbide base (11) of a wafer (W) is exposed to a halogen atmosphere containing fluorine that was dissociated from silicon tetrafluoride gas using plasma, and a gate insulation film (15) is formed on the exposed surface layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permet d'améliorer suffisamment la mobilité de canal. La couche de surface d'une base de carbure de silicium (11) d'une plaquette (W) est exposée à une atmosphère d'halogène contenant du fluor qui a été dissociée d'un gaz de tétrafluorure de silicium à l'aide d'un plasma, et un film d'isolation de grille (15) est formé sur la couche de surface exposée.
(JA)チャネルの移動度を十分に改善することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。ウエハWにおける炭化硅素基部11の表層を、四フッ化硅素ガスからプラズマによって解離したフッ素を含むハロゲン雰囲気に暴露し、該暴露された表層の上にゲート絶縁膜15を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)