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1. (WO2016002916) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2016/002916    International Application No.:    PCT/JP2015/069217
Publication Date: Fri Jan 08 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Sat Jun 27 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/336
H01L 21/316
H01L 21/318
H01L 29/78
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
OSAKA UNIVERSITY
国立大学法人大阪大学
Inventors: AZUMO, Shuji
東雲 秀司
MORISHIMA, Masato
森嶋 雅人
OUCHI, KENJI
大内 健次
KATOU, Taiki
加藤 大輝
WATANABE, Heiji
渡部 平司
SHIMURA, Takayoshi
志村 考功
HOSOI, Takuji
細井 卓治
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permet d'améliorer suffisamment la mobilité de canal. La couche de surface d'une base de carbure de silicium (11) d'une plaquette (W) est exposée à une atmosphère d'halogène contenant du fluor qui a été dissociée d'un gaz de tétrafluorure de silicium à l'aide d'un plasma, et un film d'isolation de grille (15) est formé sur la couche de surface exposée.