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1. (WO2016002803) UNITÉ DE SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE, ET MODULE DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002803    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/068884
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 30.06.2015
CIB :
H01L 23/13 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : OI, Sotaro; (JP).
OOHIRAKI, Tomoya; (JP)
Mandataire : AOYAMA, Masakazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-138716 04.07.2014 JP
2015-130972 30.06.2015 JP
Titre (EN) SUBSTRATE UNIT FOR POWER MODULES, AND POWER MODULE
(FR) UNITÉ DE SUBSTRAT POUR MODULES DE PUISSANCE, ET MODULE DE PUISSANCE
(JA) パワーモジュール用基板ユニット及びパワーモジュール
Abrégé : front page image
(EN)A substrate unit (51) for power modules, wherein: a circuit layer (12) is configured of a plurality of small circuit layers (12S); a ceramic substrate layer (11) is configured of at least one sheet; and a metal layer (13) is configured of at least one sheet. Each small circuit layer (12S) has a multilayer structure that comprises a first aluminum layer (15) which is bonded to one surface of the ceramic substrate layer (11) and a first copper layer (16) which is bonded to the first aluminum layer (15) by solid-phase diffusion. The metal layer (13) is formed of the same material as the first aluminum layer (15). A heat dissipation plate (30) is formed of copper or a copper alloy, and the metal layer (13) and the heat dissipation plate (30) are bonded to each other by solid-phase diffusion. If t1 (mm) is the thickness of the first copper layer (16), A1 (mm2) is the bonded area of the first copper layer (16), σ1 (N/mm2) is the proof stress of the first copper layer (16), t2 is the thickness of the heat dissipation plate (30) at the position where the heat dissipation plate (30) is bonded to the metal layer, A2 (mm2) is the bonded area of the heat dissipation plate (30) at the above-described position and σ2 (N/mm2) is the proof stress of the heat dissipation plate (30) at the above-described position, the ratio (t1 × A1 × σ1)/(t2 × A2 × σ2) is from 0.80 to 1.20 (inclusive).
(FR)La présente invention concerne une unité (51) de substrat pour modules de puissance comprenant : une couche (12) de circuit constituée d'une pluralité de petites couches (12S) de circuit; une couche (11) de substrat en céramique constituée d'au moins une feuille; et une couche (13) de métal constituée d'au moins une feuille. Chaque petite couche (12S) de circuit a une structure multicouche qui comprend une première couche (15) d'aluminium qui est liée à une surface de la couche (11) de substrat en céramique et une première couche (16) de cuivre qui est liée à la première couche (15) d'aluminium par diffusion en phase solide. La couche (13) de métal est formée du même matériau que la première couche (15) d'aluminium. Une plaque (30) de dissipation de chaleur est formée de cuivre ou d'un alliage de cuivre, et la couche (13) de métal et la plaque (30) de dissipation de chaleur sont liées l'une à l'autre par diffusion en phase solide. Si t1 (mm) représente l'épaisseur de la première couche (16) de cuivre, A1 (mm2) représente la surface liée de la première couche (16) de cuivre, σ1 (N/mm2) représente la limite conventionnelle d'élasticité de la première couche (16) de cuivre, t2 représente l'épaisseur de la plaque (30) de dissipation de chaleur à la position où la plaque (30) de dissipation de chaleur est liée à la couche de métal, A2 (mm2) représente la surface liée de la plaque (30) de dissipation de chaleur à la position décrite ci-dessus et σ2 (N/mm2) représente la limite conventionnelle d'élasticité de la plaque (30) de dissipation de chaleur à la position décrite ci-dessus, le rapport (t1 × A1 × σ1)/(t2 × A2 × σ2) est compris entre 0,80 et 1,20 (inclus).
(JA) パワーモジュール用基板ユニット51は、回路層12は複数の小回路層12Sにより構成され、セラミックス基板層11が少なくとも一枚で構成され、金属層13が少なくとも一枚で構成されており、小回路層12Sが、セラミックス基板層11の一方の面に接合された第1アルミニウム層15と、その第1アルミニウム層15に固相拡散接合された第1銅層16とを有する積層構造とされ、金属層13が第1アルミニウム層15と同一材料により形成され、放熱板30が銅又は銅合金により形成され、金属層13と放熱板30とが固相拡散接合されており、第1銅層16の厚さをt1(mm)、接合面積をA1(mm)、耐力をσ1(N/mm)とし、前記金属層との接合位置における放熱板30の厚さをt2、接合面積をA2(mm)、耐力をσ2(N/mm)としたときに、比率(t1×A1×σ1)/(t2×A2×σ2)が0.80以上1.20以下とされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)