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1. (WO2016002769) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/002769 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/068806
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 30.06.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventeurs : SHIOMI, Hiromu; JP
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2014-13489930.06.2014JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) A first main surface (10a) of a silicon carbide substrate (10) has formed therein a second trench (T2) that has: a second side surface (S2) that is continuous with the first main surface (10a) and that contacts a third impurity region (14) and a second impurity region (13); and a second base (B2) that is continuous with the second side surface (S2). A fourth impurity region (17) has: a first region (17b) that is arranged between a second main surface (10b) and the second impurity region (13); and a second region (18) that links the second base (B2) of the second trench (T2) to the first region (17b). A first electrode (16) is electrically connected to the third impurity region (14) on a first main surface (10a) side and contacts the second region (18) at the second base (B2) of the second trench (T2). Provided are a highly reliable, rapid-response silicon carbide semiconductor device and a production method therefor.
(FR) L'invention concerne un dispositif caractérisé en ce que, dans une première surface principale (10a) d'un substrat (10) en carbure de silicium, est formée une deuxième tranchée (T2) comportant: une deuxième surface latérale (S2) qui se situe dans la continuité de la première surface principale (10a) et qui touche une troisième région (14) d'impuretés et d'une deuxième région (13) d'impuretés; et une deuxième base (B2) qui se situe dans la continuité de la deuxième surface latérale (S2). Une quatrième région (17) d'impuretés comporte: une première région (17b) qui est disposée entre une deuxième surface principale (10b) et la deuxième région (13) d'impuretés; et une deuxième région (18) qui relie la deuxième base (B2) de la deuxième tranchée (T2) à la première région (17b). Une première électrode (16) est reliée électriquement à la troisième région (14) d'impuretés du côté d'une première surface principale (10a) et touche la deuxième région (18) au niveau de la deuxième base (B2) de la deuxième tranchée (T2). L'invention décrit un dispositif à semiconducteur au carbure de silicium hautement fiable à réaction rapide, et un procédé pour sa production.
(JA) 炭化珪素基板(10)の第1の主面(10a)には第1の主面(10a)には、第1の主面(10a)と連接し、かつ第3不純物領域(14)と、第2不純物領域(13)と接する第2側面(S2)と、第2側面(S2)と連接する第2底部(B2)とを有する第2トレンチ(T2)が形成されている。第4不純物領域(17)は、第2の主面(10b)と第2不純物領域(13)との間に配置された第1領域(17b)と、第2トレンチ(T2)の第2底部(B2)と第1領域(17b)とを繋ぐ第2領域(18)とを有する。第1電極(16)は、第1の主面(10a)側において第3不純物領域(14)と電気的に接続され、かつ第2トレンチ(T2)の第2底部(B2)において第2領域(18)と接されている。高速応答性を有し、かつ高い信頼性を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)