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1. (WO2016002707) SUBSTRAT D'OXYDE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/002707 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/068661
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 29.06.2015
CIB :
C30B 29/16 (2006.01) ,B23H 9/00 (2006.01) ,B24B 27/06 (2006.01) ,C30B 33/00 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
16
Oxydes
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
H
USINAGE DU MÉTAL PAR ACTION, SUR UNE PIÈCE, D'UNE FORTE CONCENTRATION DE COURANT ÉLECTRIQUE À L'AIDE D'UNE ÉLECTRODE TENANT LIEU D'OUTIL; USINAGE DE CE TYPE COMBINÉ AVEC D'AUTRES FORMES D'USINAGE DU MÉTAL
9
Usinage spécialement conçu pour le traitement d'objets métalliques particuliers ou pour obtenir des effets ou des résultats particuliers sur des objets métalliques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
27
Autres machines ou dispositifs à meuler
06
Machines à couper par meulage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37
Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
Déposants :
株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
株式会社光波 KOHA CO., LTD. [JP/JP]; 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
Inventeurs :
山岡 優 YAMAOKA, Yu; JP
増井 建和 MASUI, Takekazu; JP
森島 嘉克 MORISHIMA, Yoshikatsu; JP
阿部 康孝 ABE, Michitaka; JP
Représentant
commun :
株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION; 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
Données relatives à la priorité :
2014-13545230.06.2014JP
Titre (EN) GALLIUM OXIDE SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT D'OXYDE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 酸化ガリウム基板及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a gallium oxide substrate production method whereby the occurrence of defects can be reduced and a gallium oxide substrate can be obtained from an ingot of monocrystalline gallium oxide; and a gallium oxide substrate having a structure whereby the occurrence of defects during machining can be reduced. One embodiment of the present invention provides a gallium oxide substrate production method including: a step in which, as a result of wire electrical discharge machining, a cylindrical block (20) of monocrystalline gallium oxide having a cross-section parallel to the diameter direction that is different from the (100) plane is cut out from an ingot (2) of monocrystalline gallium oxide; and a step in which the cylindrical block (20) is sliced and a gallium oxide substrate (30) is obtained.
(FR) La présente invention concerne : un procédé de production de substrat d'oxyde de gallium, moyennant quoi l'apparition de défauts peut être réduite et un substrat d'oxyde de gallium peut être obtenu à partir d'un lingot d'oxyde de gallium monocristallin ; et un substrat d'oxyde de gallium ayant une structure permettant de réduire ainsi l'apparition de défauts au cours de l'usinage. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de production d'un substrat d'oxyde de gallium comprenant : une étape dans laquelle, en conséquence de l'usinage par électro-érosion à fil, un bloc cylindrique (20) d'oxyde de gallium monocristallin, ayant une section transversale parallèle à la direction du diamètre qui est différente du plan (100), est découpé dans un lingot (2) d'oxyde de gallium monocristallin ; et une étape dans laquelle le bloc cylindrique (20) est découpé en tranches et un substrat d'oxyde de gallium (30) est obtenu.
(JA)  欠陥の発生を抑えつつ、酸化ガリウム単結晶のインゴットから酸化ガリウム基板を得ることのできる酸化ガリウム基板の製造方法、及び加工の際の欠陥の発生を抑えることのできる構造を有する酸化ガリウム基板を提供する。 一実施の形態において、ワイヤー放電加工により、酸化ガリウム単結晶のインゴット2から、径方向に平行な断面が(100)面と異なる酸化ガリウム単結晶の円柱状ブロック20を切り出す工程と、円柱状ブロック20をスライスして酸化ガリウム基板30を得る工程と、を含む、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)