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1. (WO2016002627) PANNEAU D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À RAYONS X LE COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002627    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/068357
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 25.06.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), A61B 6/00 (2006.01), G01T 1/20 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : TOMIYASU Kazuhide; .
MORI Shigeyasu;
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-134752 30.06.2014 JP
Titre (EN) IMAGING PANEL AND X-RAY IMAGING DEVICE PROVIDED THEREWITH
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À RAYONS X LE COMPRENANT
(JA) 撮像パネル、及びそれを備えたX線撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A technique is provided which, without decreasing the opening ratio of an imaging panel, decreases the pattern defects in the drain electrode of thin film transistors and the data lines in the imaging panel. This imaging panel images scintillation converted by a scintillator from x-rays passing through an imaging target. In each pixel (13), the imaging panel is provided with multiple gate lines (11) and multiple data lines (12). The imaging panel is provided with a conversion element (15) which converts scintillation into an electric charge, and a thin film transistor (14) which is connected to a gate line (11), a data line (12) and the conversion element (15). The drain electrode (144) is formed such that the edges (144E1, 144E2) of the drain electrode (144) of the thin film transistor (14) that are near a data line (12) are disposed more to the inside of the pixel (13) than the edges (15E1, 15E2) of the conversion element (15) that are near a data line (12).
(FR)La présente invention porte sur une technique qui, sans diminuer le rapport d'ouverture d'un panneau d'imagerie, diminue les défauts de motif dans l'électrode de drain de transistors en couches minces et les lignes de données dans le panneau d'imagerie. Ce panneau d'imagerie représente des images de scintillation converties par un scintillateur à partir de rayons X traversant une cible d'imagerie. Dans chaque pixel (13), le panneau d'imagerie comporte de multiples lignes de grille (11) et de multiples lignes de données (12). Le panneau d'imagerie comporte un élément de conversion (15) qui convertit une scintillation en une charge électrique, et un transistor en couches minces (14) qui est connecté à une ligne de grille (11), une ligne de données (12) et l'élément de conversion (15). L'électrode de drain (144) est formée de telle sorte que les bords (144E1, 144E2) de l'électrode de drain (144) du transistor en couches minces (14) qui sont à proximité d'une ligne de données (12) sont disposés plus vers l'intérieur du pixel (13) que les bords (15E1, 15E2) de l'élément de conversion (15) qui sont à proximité d'une ligne de données (12).
(JA)撮像パネルにおける開口率を低下させることなく、撮像パネルにおけるデータ線と薄膜トランジスタのドレイン電極のパターン欠陥を低減する技術を提供する。撮像パネルは、被写体を透過したX線をシンチレータで変換したシンチレーション光を撮像する。撮像パネルは、複数のゲート線11と複数のデータ線12とを備える。撮像パネルは、各画素13において、シンチレーション光を電荷に変換する変換素子15と、ゲート線11と、データ線12と、変換素子15とに接続された薄膜トランジスタ14とを備える。薄膜トランジスタ14のドレイン電極144におけるデータ線12近傍のエッジ144E1,144E2が、変換素子15におけるデータ線12近傍のエッジ15E1,15E2よりも画素13の内側となるようにドレイン電極144は形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)