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1. (WO2016002612) PANNEAU D'IMAGERIE ET SYSTÈME D'IMAGERIE RADIOGRAPHIQUE ÉQUIPÉ DUDIT PANNEAU D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002612    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/068305
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 25.06.2015
CIB :
H01L 27/144 (2006.01), A61B 6/00 (2006.01), G01T 1/20 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : MORI Shigeyasu; .
TOMIYASU Kazuhide;
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-134522 30.06.2014 JP
Titre (EN) IMAGING PANEL AND X-RAY IMAGING SYSTEM PROVIDED WITH SAID IMAGING PANEL
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET SYSTÈME D'IMAGERIE RADIOGRAPHIQUE ÉQUIPÉ DUDIT PANNEAU D'IMAGERIE
(JA) 撮像パネル及び当該撮像パネルを備えるX線撮像システム
Abrégé : front page image
(EN)This invention makes stable operation of a thin-film transistor in an imaging panel used in an indirect-conversion X-ray imaging system possible. Said imaging panel (12) is provided with a substrate (20), the aforementioned thin-film transistor (24), a photoelectric conversion element (26), and a biasing wire (46). The thin-film transistor is formed on the substrate. The photoelectric conversion element is connected to the thin-film transistor and is exposed to scintillation light. The biasing wire is connected to the photoelectric conversion element and applies, to the photoelectric conversion element, a voltage that reverse-biases same. The thin-film transistor is provided with a semiconductor active layer (32) and a gate electrode (28). Said gate electrode is formed between the abovementioned substrate and the semiconductor active layer. Seen from the direction from which the scintillation light is incident, the biasing wire has a section that overlaps the gate electrode and the semiconductor active layer.
(FR)Cette invention rend possible un fonctionnement stable d'un transistor à couches minces dans un panneau d'imagerie utilisé dans un système d'imagerie radiographique à conversion indirecte. Ledit panneau d'imagerie (12) comprend un substrat (20), le transistor à couches minces (24) susmentionné, un élément de conversion photoélectrique (26) et un fil de polarisation (46). Le transistor à couches minces est formé sur le substrat. L'élément de conversion photoélectrique est connecté au transistor à couches minces et est exposé à de la lumière de scintillation. Le fil de polarisation est connecté à l'élément de conversion photoélectrique et applique, à l'élément de conversion photoélectrique, une tension qui le polarise en inverse. Le transistor à couches minces comprend une couche active semi-conductrice (32) et une électrode de grille (28). Ladite électrode de grille est formée entre le substrat susmentionné et la couche active semi-conductrice. Vu dans la direction dans laquelle la lumière de scintillation est incidente, le fil de polarisation comprend une section qui chevauche l'électrode de grille et la couche active semi-conductrice.
(JA) 間接変換方式のX線撮像システムに用いられる撮像パネルにおいて、薄膜トランジスタの安定した動作を実現できるようにする。撮像パネル(12)は、基板(20)と、薄膜トランジスタ(24)と、光電変換素子(26)と、バイアス配線)46)とを含む。薄膜トランジスタは、基板上に形成される。光電変換素子は、薄膜トランジスタに接続され、シンチレーション光が照射される。バイアス配線は、光電変換素子に接続され、光電変換素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加する。薄膜トランジスタは、半導体活性層(32)と、ゲート電極(28)とを含む。ゲート電極は、基板と半導体活性層との間に形成される。バイアス配線は、シンチレーション光の照射方向から見て、ゲート電極及び半導体活性層に重なる部分を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)