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1. (WO2016002611) SYSTÈME D'IMAGERIE À RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002611    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/068304
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 25.06.2015
CIB :
G01T 1/20 (2006.01), A61B 6/00 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : MORI Shigeyasu; .
TOMIYASU Kazuhide;
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-134516 30.06.2014 JP
Titre (EN) X-RAY IMAGING SYSTEM
(FR) SYSTÈME D'IMAGERIE À RAYONS X
(JA) X線撮像システム
Abrégé : front page image
(EN)This X-ray imaging system (10) is provided with: an X-ray source (16); an imaging panel (12); a scintillator (13); and an X-ray control unit (14E). The imaging panel includes: a photoelectric conversion element (26); a capacitor (50); a thin film transistor (24); and TFT control units (14A, 14B, 14F). The photoelectric conversion element (26) is irradiated with scintillation light. The capacitor (50) is connected to the photoelectric conversion element (26), and stores an electric charge. The thin film transistor (24) is connected to the capacitor (50). The TFT control units (14A, 14B, 14F) control operation of the thin film transistor (24). The thin film transistor (24) includes a semiconductor active layer (32) comprising an oxide semiconductor. The X-ray control unit (14E) causes the X-ray source (16) to intermittently emit X-rays. When X-rays are not being emitted, the TFT control units (14A, 14B, 14F) operate the thin film transistor (24) to read the electric charge stored in the capacitor (50).
(FR)L'invention concerne un système d'imagerie à rayons X (10) qui comprend : une source de rayons X (16); un panneau d'imagerie (12); un scintillateur (13); et une unité de commande de rayons X (14E). Le panneau d'imagerie comprend : un élément de conversion photoélectrique (26); un condensateur (50); un transistor à couches minces (24); et des unités de commande de TFT (14A, 14B, 14F). L'élément de conversion photoélectrique (26) est exposé à une lumière de scintillation. Le condensateur (50) est connecté à l'élément de conversion photoélectrique (26) et stocke une charge électrique. Le transistor à couches minces (24) est connecté au condensateur (50). Les unités de commande de TFT (14A, 14B, 14F) commandent le fonctionnement du transistor à couches minces (24). Le transistor à couches minces (24) comprend une couche active à semi-conducteurs (32) comprenant un semi-conducteur d'oxyde. L'unité de commande de rayons X (14E) amène la source de rayons X (16) à émettre des rayons X par intermittence. Lorsque des rayons X ne sont pas émis, les unités de commande de TFT (14A, 14B, 14F) actionnent le transistor à couches minces (24) pour lire la charge électrique stockée dans le condensateur (50).
(JA)X線撮像システム(10)は、X線源(16)と、撮像パネル(12)と、シンチレータ(13)と、X線制御部(14E)とを備える。撮像パネルは、光電変換素子(26)と、容量(50)と、薄膜トランジスタ(24)と、TFT制御部(14A、14B、14F)とを含む。光電変換素子(26)には、シンチレーション光が照射される。容量(50)は、光電変換素子(26)に接続され、電荷を蓄積する。薄膜トランジスタ(24)は、容量(50)に接続される。TFT制御部(14A、14B、14F)は、薄膜トランジスタ(24)の動作を制御する。薄膜トランジスタ(24)は、酸化物半導体からなる半導体活性層(32)を含む。X線制御部(14E)は、X線源(16)にX線を間欠的に照射させる。TFT制御部(14A、14B、14F)は、X線が照射されていないときに、薄膜トランジスタ(24)を動作させて、容量(50)に蓄積された電荷を読み出す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)