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1. (WO2016002563) PANNEAU D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE RADIOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002563    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067886
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 22.06.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), G01T 1/20 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/08 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : TOMIYASU Kazuhide; .
MORI Shigeyasu;
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-134724 30.06.2014 JP
Titre (EN) IMAGING PANEL AND X-RAY IMAGING DEVICE
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE RADIOGRAPHIQUE
(JA) 撮像パネル及びX線撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A second insulating film (44) is provided so as to cover a conversion element which includes a first insulating film (42), a photodiode (15) and an electrode (43). The second insulating film (44) is formed from a material represented by SiNxOy, with x greater than 0 and y greater than or equal to 0. By this means, it is possible to obtain a TFT (14) and a photodiode (15) having excellent moisture resistance.
(FR)Selon la présente invention, un second film isolant (44) est disposé de façon à recouvrir un élément de conversion qui comprend un premier film isolant (42), une photodiode (15) et une électrode (43). Le second film isolant (44) est formé à partir d'un matériau représenté par SiNxOy, x étant supérieur à 0 et y étant supérieur ou égal à 0. Par ce moyen, il est possible d'obtenir un transistor à couches minces (TFT) (14) et une photodiode (15) présentant une excellente résistance à l'humidité.
(JA)第2の絶縁膜(44)は、第1の絶縁膜(42)とフォトダイオード(15)及び電極(43)を含む変換素子を覆うように設けられている。第2の絶縁膜(44)は、0より大きい数x及び0以上の数yに対して、SiNで表される材料で形成されている。これにより、優れた防湿性を有するTFT(14)とフォトダイオード(15)を得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)