WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016002473) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/002473 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/066925
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 11.06.2015
CIB :
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/8232 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs : NAKANISHI, Hiroyuki; null
SATOH, Tomotoshi; null
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
2014-13624401.07.2014JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN) The purpose of the present invention is to achieve improvements in yields during fabrication of GaN-HEMTs. The present invention is provided with an external connection terminal (126 (D)) performing the role of a drain for a semiconductor device (150) and two or more GaN-HEMTs (104). The drain pad ((D)) of each GaN-HEMT (104) is connected to the external connection terminal (126 (D)).
(FR) L'objet de la présente invention est d'obtenir des améliorations de rendements lors de la fabrication de transistors à haute mobilité électronique de GaN. La présente invention est pourvue d'une borne de connexion externe (126 (D)) jouant le rôle d'un drain d'un dispositif à semi-conducteur (150) et de deux transistors à haute mobilité électronique de GaN (104) ou plus. La plage de connexion de drain ((D)) de chaque transistor à haute mobilité électronique de GaN (104) est reliée à la borne de connexion externe (126 (D)).
(JA)  GaN-HEMT作製時の歩留まりの向上を可能とする。半導体装置(150)のドレインの役割を担う外部接続用端子(126(D))と、2個以上のGaN-HEMT(104)とを備えており、各GaN-HEMT(104)のドレインパッド((D))は、外部接続用端子(126(D))に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)