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1. (WO2016002419) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/002419 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/066042
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 03.06.2015
CIB :
H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs : WATABE, Mayuko; null
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2014-13877604.07.2014JP
Titre (EN) NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN) This nitride-semiconductor light-emitting element (1) has an n-type nitride-semiconductor layer (13), a p-type nitride-semiconductor layer (27), and a light-emitting layer (17) provided between the n-type nitride-semiconductor layer (13) and the p-type nitride-semiconductor layer (27). The light-emitting layer (17) comprises one or more quantum-well layers (17A) and two or more barrier layers (17B) sandwiching said quantum-well layer(s) (17A). The thickness of a first barrier layer (17BL), said first barrier layer (17BL) being the barrier layer (17B) closest to the p-type nitride-semiconductor layer (27), is less than or equal to the thickness of a different barrier layer (17B). An undoped layer (19) comprising a nitride semiconductor that can be represented by the general formula AlsGatInuN (in which 0 < s < 1, 0 < t < 1, 0 ≤ u < 1, and s+t+u = 1) is provided between the first barrier layer (17BL) and the p-type nitride-semiconductor layer (27).
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure (1) qui a une couche semi-conductrice de nitrure de type N (13), une couche semi-conductrice de nitrure de type P (27), et une couche électroluminescente (17) disposée entre la couche semi-conductrice de nitrure de type N (13) et la couche semi-conductrice de nitrure de type P (27). La couche électroluminescente (17) comprend une ou plusieurs couches de puits quantique (17A) et deux couches d'arrêt (17B) ou plus prenant en sandwich ladite ou lesdites couches de puits quantique (17A). L'épaisseur d'une première couche d'arrêt (17BL), ladite première couche d'arrêt (17BL) étant la couche d'arrêt (17B) la plus proche de la couche semi-conductrice de nitrure de type P (27), est inférieure ou égale à l'épaisseur d'une couche d'arrêt (17B) différente. Une couche non dopée (19) comprenant un semi-conducteur au nitrure qui peut être représenté par la formule générale AlsGatInuN (dans laquelle 0 < s < 1, 0 < t < 1, 0 ≤ u < 1, et s + t + u = 1) est disposée entre la première couche d'arrêt (17BL) et la couche semi-conductrice de nitrure de type P (27).
(JA)  窒化物半導体発光素子(1)は、n型窒化物半導体層(13)と、p型窒化物半導体層(27)と、n型窒化物半導体層(13)とp型窒化物半導体層(27)との間に設けられた発光層(17)とを備える。発光層(17)は、1つ以上の量子井戸層(17A)と、量子井戸層(17A)を挟む2つ以上の障壁層(17B)とを有する。2つ以上の障壁層(17B)のうちp型窒化物半導体層(27)の最も近くに位置する障壁層である第1障壁層(17BL)の厚さは、第1障壁層(17BL)とは異なる障壁層(17B)の厚さ以下である。第1障壁層(17BL)とp型窒化物半導体層(27)との間には、一般式AlsGatInuN(0<s<1、0<t<1、0≦u<1、s+t+u=1)で表される窒化物半導体からなるアンドープ層(19)が設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)