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1. (WO2016002386) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/002386 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/064974
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 25.05.2015
CIB :
H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs : FUJII, Takeshi; JP
SATO, Mariko; JP
INAMOTO, Takuro; JP
Mandataire : SAKAI, Akinori; JP
Données relatives à la priorité :
2014-13724402.07.2014JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体素子の製造方法
Abrégé :
(EN) A graphene layer (11) is formed on the surface of a p-type silicon carbide semiconductor portion (1), and then, a metal electrode (2) is formed on the surface of the graphene layer (11), thereby forming a dipole at the joining interface between the p-type silicon carbide semiconductor portion (1) and the metal electrode (2). This reduces the electric potential difference occurring at the joining interface between the p-type silicon carbide semiconductor portion (1) and the metal electrode (2), turning the contact between the p-type silicon carbide semiconductor portion (1) and the metal electrode (2) into a low-resistance ohmic contact. The carrier concentration in the p-type silicon carbide semiconductor portion (1) is 1 × 1016/cm3 or greater. The graphene layer (11) has a monolayer structure or a layered structure of three layers or less. The ratio of the p-type silicon carbide semiconductor portion (1) covered by the graphene layer (11) is 30% or more of the p-type silicon carbide semiconductor portion (1) surface area. In this manner, low-resistance ohmic contacts can be formed with high reproducibility.
(FR) Selon la présente invention, une couche de graphène (11) est formée sur la surface d'une partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1), et ensuite, une électrode métallique (2) est formée sur la surface de la couche de graphène (11), ce qui permet de former un dipôle à l'interface de jonction entre la partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1) et l'électrode métallique (2). Cela réduit la différence de potentiel électrique apparaissant à l'interface de jonction entre la partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1) et l'électrode métallique (2), transformant le contact entre la partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1) et l'électrode métallique (2) en un contact ohmique à faible résistance. La concentration des porteurs de charge dans la partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1) est supérieure ou égale à 1 × 1016/cm3. La couche de graphène (11) possède une structure monocouche ou une structure stratifiée composée de trois couches ou moins. La proportion de la partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1) recouverte par la couche de graphène (11) est supérieure ou égale à 30 % de l'aire de surface de la partie semi-conducteur au carbure de silicium du type p (1). De cette manière, des contacts ohmiques à faible résistance peuvent être formés avec une reproductibilité élevée.
(JA)  p型炭化珪素半導体部(1)の表面にグラフェン層(11)を形成した後、グラフェン層(11)の表面に金属電極(2)を形成することで、p型炭化珪素半導体部(1)と金属電極(2)との接合界面にダイポールを形成する。これにより、p型炭化珪素半導体部(1)と金属電極(2)と接合界面に生じる電位差が低減され、p型炭化珪素半導体部(1)と金属電極(2)とのコンタクトが低抵抗なオーミックコンタクトとなる。p型炭化珪素半導体部(1)のキャリア濃度は1×1016/cm3以上である。グラフェン層(11)は単層構造または3層以下の積層構造を有する。グラフェン層(11)によるp型炭化珪素半導体部(1)の被覆率は、p型炭化珪素半導体部(1)の表面積の30%以上である。このようにすることで、低抵抗なオーミックコンタクトを再現性高く形成することができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)