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1. (WO2016002385) MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE EN DEMI-PONT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002385    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/064869
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 25.05.2015
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210023 (JP)
Inventeurs : TANIMOTO, Satoshi; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-137589 03.07.2014 JP
Titre (EN) HALF-BRIDGE POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE EN DEMI-PONT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A module (1) is provided with an insulating substrate (15), a power semiconductor device (13HT), a power semiconductor device (13LT), a bridge terminal (14B), a high-side terminal (14H), and a low-side terminal (14L). The bridge terminal extends from a surface wiring conductor (12B) and between the power semiconductor devices (13HT,13LT). The high-side terminal extends from a high-side back surface wiring conductor (17H) and between the power semiconductor devices (13HT, 13LT). The low-side terminal extends from a low-side back surface wiring conductor (17L) and between the power semiconductor devices (13HT, 13LT). A front electrode of the power semiconductor device (13HT) and a back electrode of the power semiconductor device (13LT) are connected to the surface wiring conductor (12B).
(FR)L'invention concerne un module (1) qui est pourvu d'un substrat isolant (15), d'un dispositif à semi-conducteur de puissance (13HT), d'un dispositif à semi-conducteur de puissance (13LT), d'une borne en pont (14B), une borne à haut potentiel (14H), et d'une borne à bas potentiel (14L). La borne en pont s'étend à partir d'un conducteur de câblage de surface (12B) et entre les dispositifs à semi-conducteur de puissance (13HT, 13LT). La borne à haut potentiel s'étend à partir d'un conducteur de câblage de surface arrière à haut potentiel (17H) et entre les dispositifs à semi-conducteur de puissance (13HT, 13LT). La borne à bas potentiel s'étend à partir d'un conducteur de câblage de surface arrière à bas potentiel (17L) et entre les dispositifs à semi-conducteur de puissance (13HT, 13LT). Une électrode avant du dispositif à semi-conducteur de puissance (13HT) et une électrode arrière du dispositif à semi-conducteur de puissance (13LT) sont connectées au conducteur de câblage de surface (12B).
(JA) モジュール(1)は、絶縁基板(15)と、パワー半導体装置(13HT)と、パワー半導体装置(13LT)と、ブリッジ端子(14B)と、ハイサイド端子(14H)と、ローサイド端子(14L)とを備える。ブリッジ端子は、パワー半導体装置(13HT)、(13LT)の間で表面配線導体(12B)から延伸されている。ハイサイド端子は、パワー半導体装置(13HT,13LT)の間でハイサイド裏面配線導体(17H)から延伸されている。ローサイド端子は、パワー半導体装置(13HT,13LT)の間でローサイド裏面配線導体(17L)から延伸されている。パワー半導体装置(13HT)の表面電極及びパワー半導体装置(13LT)の裏面電極は、表面配線導体(12B)に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)