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1. (WO2016002341) DISPOSITIF DE MESURE DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE MESURE DE MOTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002341    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/063412
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 11.05.2015
CIB :
G01B 15/00 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventeurs : KAWADA Hiroki; (JP).
SAKAI Hideo; (JP).
SASADA Katsuhiro; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-133502 30.06.2014 JP
Titre (EN) PATTERN MEASUREMENT METHOD AND PATTERN MEASUREMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE MESURE DE MOTIF
(JA) パターン測定方法、及びパターン測定装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a pattern measurement method and pattern measurement device for achieving highly accurate measurement in the depth direction of a pattern. The present invention is a pattern measurement method and a device for implementing the pattern measurement, the pattern measurement method having the following steps: a focused ion beam is irradiated so as to form an inclined surface in a sample area including a circuit element having deep holes, deep grooves, or a three-dimensional structure; the field of view of a scanning electron microscope is set so as to include the boundary between the inclined surface and a sample surface; an image of the field of view is obtained on the basis of a detection signal obtained through the scanning of an electron beam over the field of view; the acquired image is used to specify a first position that is the boundary between the inclined surface and a non-inclined surface and a second position that is the position of a desired deep hole or deep groove positioned within the inclined surface; and the height of a pattern composing the circuit element having deep holes, deep grooves, or a three-dimensional structure is determined on the basis of the distance in the sample surface direction between the first position and second position and the angle of the inclined surface.
(FR)L'invention concerne un procédé de mesure de motif et un dispositif de mesure de motif permettant d'obtenir une mesure extrêmement précise dans la direction de la profondeur d'un motif. L'invention concerne un procédé de mesure de motif et un dispositif permettant de mettre en oeuvre la mesure de motif, le procédé de mesure de motif comprenant les étapes suivantes : un faisceau d'ions focalisé est irradié de manière à former une surface inclinée dans une zone d'échantillon comprenant un élément de circuit ayant des trous profonds, des rainures profondes ou une structure tridimensionnelle ; le champ de vision d'un microscope électronique à balayage est placé de façon à comprendre la frontière entre la surface inclinée et une surface d'échantillon ; une image du champ de vision est obtenue sur la base d'un signal de détection obtenu par le balayage d'un faisceau d'électrons sur le champ de vision ; l'image acquise est utilisée pour spécifier une première position qui est la frontière entre la surface inclinée et une surface non inclinée et une seconde position qui est la position d'un trou profond souhaité ou d'une rainure profonde souhaitée, positionné(e) au sein de la surface inclinée ; et la hauteur d'un motif composant l'élément de circuit ayant des trous profonds, des rainures profondes ou une structure tridimensionnelle est déterminée sur la base de la distance dans la direction de surface d'échantillon entre la première position et la seconde position et de l'angle de la surface inclinée.
(JA) 本発明は、パターンの深さ方向の測定を高精度に実現するパターン測定方法、及びパターン測定装置の提供を目的とする。本発明では、集束イオンビームの照射によって、深穴、深溝、或いは立体構造を有する回路素子を含む試料領域に傾斜面を形成し、傾斜面と試料表面との間の境界を含むように、走査電子顕微鏡の視野を設定し、当該視野への電子ビームの走査によって得られる検出信号に基づいて、前記視野の画像を取得し、当該取得された画像を用いて、傾斜面と非傾斜面の境界となる第1の位置と、傾斜面内に位置する所望の深穴または深溝の位置である第2の位置を特定し、当該第1の位置と第2の位置との間の前記試料表面方向の寸法と、前記斜面の角度に基づいて、前記深穴、深溝、或いは立体構造を有する回路素子を構成するパターンの高さ方向の寸法を求めるステップを有するパターン測定方法、及び個の測定を実現する装置を提案する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)