Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2016002215) REVÊTEMENT À FAIBLE RÉFLEXION, SUBSTRAT DOTÉ D'UN REVÊTEMENT À FAIBLE RÉFLEXION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE

Pub. No.:    WO/2016/002215    International Application No.:    PCT/JP2015/003300
Publication Date: Fri Jan 08 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jul 01 01:59:59 CEST 2015
IPC: C03C 17/25
G02B 1/113
H01L 31/048
Applicants: NIPPON SHEET GLASS COMPANY, LIMITED
日本板硝子株式会社
Inventors: KOYO, Mizuho
小用 瑞穂
KONDO, Fumiyoshi
近藤 史佳
MIYAMOTO, Yoko
宮本 瑶子
KAWAZU, Mitsuhiro
河津 光宏
MATSUBARA, Hirofumi
松原 浩文
Title: REVÊTEMENT À FAIBLE RÉFLEXION, SUBSTRAT DOTÉ D'UN REVÊTEMENT À FAIBLE RÉFLEXION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Abstract:
 Le revêtement à faible réflexion de la présente invention est un film poreux dans lequel des microparticules de silice sphériques ayant un diamètre moyen de particule de 80 à 150 nm sont fixées par un liant dont la silice est le composant primaire. Le liant comprend en outre un composé d'aluminium. Les teneurs des composants dans le revêtement à faible réflexion exprimées en % en masse sont les suivantes : 55 à 70 % de microparticules de silice, 25 à 40 % de silice du liant et 2 à 7 % du composé d'aluminium en termes d'Al2O3. L'épaisseur du film du revêtement à faible réflexion est de 80 à 800 nm. Le gain de transmittance obtenu par l'application du revêtement à faible réflexion sur un substrat est de 2,5 % ou plus. Ici, le gain de transmittance concerne la transmittance moyenne dans une région de longueur d'onde de 380 à 850 nm, et est l'augmentation de la transmittance moyenne du substrat sur lequel le revêtement à faible réflexion est appliqué par rapport à la transmittance moyenne du substrat avant application du revêtement à faible réflexion.