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1. (WO2016002213) CELLULE SOLAIRE À STRUCTURE MÉSOPOREUSE COMPRENANT BARRIÈRE DE SILOXANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002213    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/003293
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 30.06.2015
CIB :
H01L 51/44 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : KOPOSOV, Alexey; .
ZHAN, Changqing; .
PAN, Wei;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
14/320,488 30.06.2014 US
14/320,702 01.07.2014 US
Titre (EN) MESOPOROUS STRUCTURE SOLAR CELL WITH SILOXANE BARRIER
(FR) CELLULE SOLAIRE À STRUCTURE MÉSOPOREUSE COMPRENANT BARRIÈRE DE SILOXANE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for forming a mesoporous-structured solar cell with a silane or siloxane barrier. The method forms a transparent conductive electrode overlying a transparent substrate. A non-mesoporous layer of a first metal oxide overlies the transparent conductive electrode, with a mesoporous layer of a second metal oxide overlying the non-mesoporous layer of first metal oxide. An aminoalkoxysilane layer overlies the mesoporous layer of second metal oxide. Over the aminoalkoxysilane layer is deposited a semiconductor absorber layer comprising organic and inorganic components. Using the aminoalkoxysilane linker, the mesoporous layer of second metal oxide is linked to the semiconductor absorber layer. A hole-transport material (HTM) layer is formed overlying the semiconductor absorber layer, and a metal electrode overlies the HTM layer. A mesoporous-structured solar cell with a silane or siloxane barrier is also provided.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former une cellule solaire à structure mésoporeuse comprenant une barrière de silane ou de siloxane. Le procédé consiste à former une électrode conductrice transparente recouvrant un substrat transparent. Une couche non mésoporeuse d'un premier oxyde métallique recouvre l'électrode conductrice transparente, et une couche mésoporeuse d'un second oxyde métallique recouvre la couche non mésoporeuse du premier oxyde métallique. Une couche d'aminoalcoxysilane recouvre la couche mésoporeuse du second oxyde métallique. Une couche absorbante semi-conductrice comprenant des constituants organiques et inorganiques est déposée au-dessus de la couche d'aminoalcoxysilane. La couche mésoporeuse du second oxyde métallique est liée à la couche absorbante semi-conductrice au moyen du coupleur aminoalcoxysilane. Une couche de matériau de transport de trous (HTM) est formée superposée à la couche absorbante semi-conductrice, et une électrode métallique recouvre la couche HTM. Une cellule solaire à structure mésoporeuse comprenant une barrière de silane ou de siloxane est également décrite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)