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1. (WO2016002211) CELLULAIRE SOLAIRE À STRUCTURE MÉSOPOREUSE À SURFACE DE PASSIVATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/002211    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/003291
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 30.06.2015
CIB :
H01L 51/44 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : ZHAN, Changqing; .
KOPOSOV, Alexey; .
PAN, Wei;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
14/320,488 30.06.2014 US
Titre (EN) SURFACE-PASSIVATED MESOPOROUS STRUCTURE SOLAR CELL
(FR) CELLULAIRE SOLAIRE À STRUCTURE MÉSOPOREUSE À SURFACE DE PASSIVATION
Abrégé : front page image
(EN)A method is presented for forming a surface-passivated mesoporous-structured solar cell. The method provides a transparent substrate, and forms an overlying transparent conductive electrode. A non-mesoporous layer of a first metal oxide is formed overlying the transparent conductive electrode. A mesoporous structure is formed overlying the non-mesoporous layer of first metal oxide. The mesoporous structure includes a mesoporous layer of a second metal oxide over the first metal oxide layer, and coating the mesoporous layer of second metal oxide is a passivating semiconductor layer having a bandgap wider than the second metal oxide. A semiconductor absorber layer is formed overlying the mesoporous structure, which is made up of both organic and inorganic components. A hole-transport medium (HTM) layer is formed overlying the semiconductor absorber layer, which may be an organic material. A metal electrode overlies the HTM layer. Also provided is a surface-passivated mesoporous-structured solar cell and ambipolar material.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former une cellule solaire à structure mésoporeuse, à surface de passivation. Le procédé consiste à utiliser un substrat transparent et à former une électrode conductrice transparente le recouvrant. Une couche non mésoporeuse d'un premier oxyde métallique est formée de façon à être superposée à l'électrode conductrice transparente. Une structure mésoporeuse est formée de façon à être superposée à la couche non mésoporeuse du premier oxyde métallique. La structure mésoporeuse comprend une couche mésoporeuse d'un second oxyde métallique sur la couche du premier oxyde métallique, et la couche mésoporeuse du second oxyde métallique est revêtue d'une couche semi-conductrice de passivation ayant une plus grande bande interdite que le second oxyde métallique. Une couche absorbante semi-conductrice, qui est constituée de composants aussi bien organiques qu'inorganiques, est formée de façon à être superposée à la structure mésoporeuse. Une couche de milieu de transport de trous (HTM), qui peut être un matériau organique, est formée de façon à être superposée à la couche absorbante semi-conductrice. Une électrode métallique recouvre la couche HTM. L'invention concerne également une cellule solaire à structure mésoporeuse et à surface de passivation et un matériau ambipolaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)