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1. (WO2016001365) DISPOSITIF D'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE COMPRENANT UNE NANOSTRUCTURE CRISTALLINE DE FORME ALLONGÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/001365 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/065110
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 02.07.2015
CIB :
H01L 39/22 (2006.01) ,H01L 39/24 (2006.01) ,H01L 39/06 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/43 (2006.01) ,H01L 29/45 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF COPENHAGEN[DK/DK]; Nørregade 10 1165 Copenhagen K, DK
Inventeurs : KROGSTRUP, Peter; DK
JESPERSEN, Thomas Sand; DK
MARCUS, Charles M.; DK
NYGÅRD, Jesper; DK
Mandataire : HØIBERG A/S; Adelgade 12 1304 Copenhagen K, DK
Données relatives à la priorité :
14175342.602.07.2014EP
15154459.010.02.2015EP
Titre (EN) NANOSCALE DEVICE COMPRISING AN ELONGATED CRYSTALLINE NANOSTRUCTURE
(FR) DISPOSITIF D'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE COMPRENANT UNE NANOSTRUCTURE CRISTALLINE DE FORME ALLONGÉE
Abrégé : front page image
(EN) The present disclosure relates to nanoscale device comprising an elongated crystalline nanostructure, such as a nanowire crystal, a nanowhisker crystal or a nanorod crystal, and a method for producing thereof. One embodiment relates to a nanoscale device comprising an elongated crystalline semiconductor nanostructure, such as a nanowire (crystal) or nanowhisker (crystal) or nanorod (crystal), preferably made of Indium Arsenide, having a plurality of substantially plane side facets, a crystalline structured first facet layer of a superconductor material, preferably Aluminium, covering at least a part of one or more of said side facets, and a second facet layer of a superconductor material, preferably Vanadium, covering at least a part of the first facet layer, the superconductor material of the second facet layer being different from the superconductor material of the first facet layer, wherein the crystalline structure of the semiconductor nanostructure is epitaxially matched with the crystalline structure of the first facet layer on the interface between the two crystalline structures.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'échelle nanométrique comprenant une nanostructure cristalline de forme allongée, telle qu'un cristal de nanofils, un cristal de nanobarbes ou une un cristal de nanotiges, et un procédé de fabrication de celui-ci. Un mode de réalisation de l'invention concerne un dispositif d'échelle nanométrique comprenant une nanostructure cristalline semi-conductrice de forme allongée, telle qu'une structure de nanofils (cristal) ou de nanotiges (cristal) ou de nanobarbes (cristal), de préférence à base d'arséniure d'indium, présentant une pluralité de facettes latérales sensiblement planes, une première couche de facette à structure cristalline d'un matériau supraconducteur, de préférence d'aluminium, recouvrant au moins une partie d'une ou plusieurs desdites facettes latérales, et une seconde couche de facette d'un matériau supraconducteur, de préférence de vanadium, recouvrant au moins une partie de la première couche de facette, le matériau supraconducteur de la seconde couche de facette étant différent du matériau supraconducteur de la première couche de facette. La structure cristalline de la nanostructure semi-conductrice est adaptée par épitaxie à la structure cristalline de la première couche de facette sur l'interface entre les deux structures cristallines.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)