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1. (WO2016001326) DÉTECTEUR PROPRE À DÉTECTER UNE PREMIÈRE LONGUEUR D'ONDE ET À FILTRER UNE DEUXIÈME LONGUEUR D'ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/001326    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/065030
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 01.07.2015
CIB :
H01L 31/102 (2006.01), H01L 31/108 (2006.01), H01L 31/0232 (2014.01), G02B 5/00 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment le Ponant D 25 rue Leblanc 75015 Paris (FR)
Inventeurs : BADANO, Giacomo; (FR).
ESPIAU DE LAMAESTRE, Roch; (FR).
REVERCHON, Jean-Luc; (FR)
Mandataire : BLOT, Philippe; (FR)
Données relatives à la priorité :
1456286 01.07.2014 FR
Titre (EN) DETECTOR CAPABLE OF DETECTING A FIRST WAVELENGTH AND FILTERING A SECOND WAVELENGTH
(FR) DÉTECTEUR PROPRE À DÉTECTER UNE PREMIÈRE LONGUEUR D'ONDE ET À FILTRER UNE DEUXIÈME LONGUEUR D'ONDE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a detector (10) including: - an array (R) of steps (P) less than or equal to the first wavelength; - a first layer (C1) made of a first absorbent dielectric material and having a first thickness (e1) along a stacking direction (Z), the first thickness (e1) being no greater than the first wavelength; and - a second layer (C2) having second parameters influencing the electric field generated when the detector (10) is lit up by a wave having the second wavelength. The second parameters are selected so that the electric field generated when the detector (10) is lit up by a wave having the second wavelength has a node in the first layer (C1).
(FR)L'invention concerne un détecteur (10) comprenant : • - un réseau (R) de pas (P) inférieur ou égal à la première longueur d'onde, • - une première couche (C1) réalisée en un premier matériau diélectrique absorbant, et la première couche (C1) présentant une première épaisseur (e1) le long d'une direction d'empilement (Z), la première épaisseur (e1) étant inférieure ou égale à la première longueur d'onde, • - une deuxième couche (C2) présentant des deuxièmes paramètres influençant le champ électrique généré lorsque le détecteur (10) est illuminé par une onde à la deuxième longueur d'onde, les deuxièmes paramètres étant choisis pour que le champ électrique généré lorsque le détecteur (10) est illuminé par une onde à la deuxième longueur d'onde présente un noeud dans la première couche (C1).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)