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1. (WO2016001095) TRANSISTOR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/001095    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/064567
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 26.06.2015
CIB :
H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/10 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Unit 12 Cardinal Park, Cardinal Way,, Godmanchester Godmanchester Cambridgeshire PE29 2XG (GB)
Inventeurs : BURROUGHES, Jeremy; (GB).
TOBJORK, Daniel; (GB).
NEWSOME, Christopher; (GB)
Mandataire : SHARP, Alan; (GB)
Données relatives à la priorité :
1411621.4 30.06.2014 GB
Titre (EN) ORGANIC TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An organic thin film transistor comprising source and drain electrodes (103, 105); a semiconducting region between the source and drain electrodes; a charge-transporting layer (107) comprising a charge-transporting material extending across the semiconducting region and in electrical contact with the source and drain electrodes; an organic semiconducting layer (109) comprising an organic semiconductor extending across the semiconducting region; a gate electrode (113); and a gate dielectric (111) between the gate electrode and the organic semiconducting layer.
(FR)La présente invention concerne un transistor organique à film mince qui comprend des électrodes source et drain (103, 105); une région à semi-conducteur entre les électrodes source et drain; une couche de transport de charge (107) qui comprend un matériau de transport de charge qui s'étend à travers la région à semi-conducteur et en contact électrique avec les électrodes source et drain; une couche de semi-conducteur organique (109) qui comprend un semi-conducteur organique qui s'étend à travers la région à semi-conducteur; une électrode grille (113); et un diélectrique grille (111) entre l'électrode grille et la couche de semi-conducteur organique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)