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1. (WO2016000990) DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A ELEMENTS SEMICONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/000990 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/063895
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 22.06.2015
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
08
ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
Déposants : ALEDIA[FR/FR]; 7, Parvis Louis Néel BP 50 F-38040 Grenoble, FR
Inventeurs : DECHOUX, Nathalie; FR
LACAVE, Thomas; FR
AMSTATT, Benoît; FR
GIBERT, Philippe; FR
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1 Rue Champollion F-38000 Grenoble, FR
Données relatives à la priorité :
145631702.07.2014FR
Titre (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A ELEMENTS SEMICONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic device (50) comprising a substrate (10) having a surface (12), openings (52) which extend in the substrate from the surface, and semiconductor elements (20), each semiconductor element partially extending into one of the openings (52) and partially outside said opening, the height (H) of each opening being at least 25 nm and at most 5 μm and the ratio of the height (H) to the smallest diameter of each opening (L) being at least 0.5 and at most 15.
(FR) L'invention concerne un dispositif optoélectronique (50) comprenant un substrat (10) comprenant une face (12), des ouvertures (52) s 'étendant dans le substrat depuis la face et des éléments semiconducteurs (20), chaque élément semiconducteur s 'étendant en partie dans l'une des ouvertures (52) et en partie à l'extérieur de l'ouverture, la hauteur (H) de chaque ouverture étant supérieure ou égale à 25 nm et inférieure ou égale à 5 μm et le rapport entre la hauteur (H) et le plus petit diamètre de chaque ouverture (L) étant supérieur ou égal à 0,5 et inférieur ou égal à 15.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)