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1. (WO2016000617) CREUSET POUR CULTURE DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/000617    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/083053
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 01.07.2015
CIB :
C30B 15/10 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01)
Déposants : PLANSEE (SHANGHAI) HIGH PERFORMANCE MATERIAL LTD. [CN/CN]; No.555, Yitian Road, Lingang Industrial Zone Pudong, Shanghai 201306 (CN).
PLANSEE SE [AT/AT]; Metallwerk-Plansee-Str.71 A-6600 Reutte (AT)
Inventeurs : HOCHSTRASSER, Mathias; (CN).
CHENG, David; (CN).
LARCHER, Heike; (DE).
KLEINPASS, Bernd; (DE).
WEBHOFER, Martin; (AT).
EBERLE, Wolfgang; (AT).
HAMMERLE, Walter; (AT)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410312751.7 02.07.2014 CN
Titre (EN) CRUCIBLE FOR CRYSTAL CULTIVATION
(FR) CREUSET POUR CULTURE DE CRISTAUX
(ZH) 用于晶体培养的坩埚
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a crucible for single crystal cultivation. The crucible is made of W, Mo, Re, alloy or basic alloy thereof. The present invention also relates to a method for manufacturing the crucible (2). At least a part of the outer surface (4) of the crucible (2) facing outward at least partially comprises a concave and convex pattern having an average pattern depth (a) of 5μm to 500 μm.
(FR)La présente invention concerne un creuset pour la culture de monocristaux. Le creuset est fabriqué en W, Mo, Re, en un alliage ou un alliage basique de ceux-ci. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication du creuset (2). Au moins une partie de la surface extérieure (4) du creuset (2) dirigée vers l'extérieur comprend au moins partiellement un motif concave et convexe ayant une profondeur moyenne de motif (a) de 5 µm à 500 µm.
(ZH)本发明涉及一种用于单晶培养的坩埚,该坩埚由W、Mo、Re、这些金属的合金或基础合金构成;本发明还涉及一种坩埚(2)的制造方法,对此坩埚(2)的指向外侧的外表面(4)的至少一部分至少局部地包含具有5至500μm之间平均花纹深度(a)的凹凸花纹。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)