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1. (WO2016000600) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2016/000600    International Application No.:    PCT/CN2015/082761
Publication Date: Fri Jan 08 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jul 01 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 29/808
H01L 21/337
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.
无锡华润上华半导体有限公司
Inventors: HAN, Guangtao
韩广涛
SUN, Guipeng
孙贵鹏
Title: TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à effet de champ à jonction. Le transistor à effet de champ à jonction comprend un substrat (10), une couche enterrée dans le substrat, une première région de puits (32) et une seconde région de puits (34) qui sont disposées sur la couche enterrée, une région de sortie de source (50), une région de sortie de drain (60), et une première région de sortie de grille (42) qui sont disposées dans la première région de puits (32), et une seconde région de sortie de grille (44) dans la seconde région de puits (34). Une interface de jonction Schottky (70) est disposée sur la surface de la première région de puits (32). L'interface de jonction Schottky (70) est située entre la première région de sortie de grille (42) et la région de sortie de drain (60), et est isolée de la première région de sortie de grille (42) et de la région de sortie de drain (60) au moyen de structures d'isolation. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à jonction.