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1. (WO2016000458) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/000458    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/073469
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 02.03.2015
CIB :
H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : WANG, Jin; (CN).
LU, Yi-an; (CN).
WU, Chun-Yi; (CN).
TAO, Ching-Shan; (CN).
WANG, Duxiang; (CN)
Données relatives à la priorité :
201410308320.3 01.07.2014 CN
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) 发光二极管
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode. The light emitting diode comprises: a substrate (10); a semiconductor light emitting lamination, located on the substrate (10) and comprising a first semiconductor layer (21), an active layer (22) and a second semiconductor layer (23) from bottom to top, wherein the electric property of the first semiconductor layer (21) is different from that of the second semiconductor layer (23); a transparent conducting layer (40), located on the semiconductor light emitting lamination and provided with an opening part (70); a first electrode (60), electrically connected to the first semiconductor layer (21); and a second electrode (50), electrically connected to the second semiconductor layer (23). The opening part (70) is filled with the second electrode (50), a recessed part (54) is provided in the position, in contact with the transparent conducting layer (40), of the second electrode (50), and the second electrode (50) is embedded into the transparent conducting layer (40). Accordingly, when the structure of the light emitting diode is packaged, the capacity of the second electrode for contending against transverse thrust is enhanced, and the condition of stripping in the packaging and routing processes is avoided.
(FR)L'invention porte sur une diode électroluminescente. La diode électroluminescente comprend : un substrat (10); un stratifié électroluminescent à semi-conducteur, situé sur le substrat (10) et comprenant une première couche semi-conductrice (21), une couche active (22) et une seconde couche semi-conductrice (23) de bas en haut, la propriété électrique de la première couche semi-conductrice (21) étant différente de celle de la seconde couche semi-conductrice (23); une couche conductrice transparente (40), située sur le stratifié électroluminescent à semi-conducteur et pourvue d'une partie d'ouverture (70); une première électrode (60), électriquement connectée à la première couche semi-conductrice (21); et une seconde électrode (50), électriquement connectée à la seconde couche semi-conductrice (23). La partie d'ouverture (70) est remplie par la seconde électrode (50), une partie en retrait (54) est ménagée dans la position, en contact avec la couche conductrice transparente (40), de la seconde électrode (50), et la seconde électrode (50) est encastrée dans la couche conductrice transparente (40). En conséquence, quand la structure de la diode électroluminescente est mise sous boîtier, la capacité de la seconde électrode à résister à une poussée transversale est améliorée, et la situation d'arrachement dans les processus de mise sous boîtier et de routage est évitée.
(ZH)一种发光二极管,包括:基板(10);半导体发光叠层,位于基板(10)上,自下而上包含一第一半导体层(21)、有源层(22)及一第二半导体层(23)与第一半导体层(21)的电性相异;透明导电层(40),位于半导体发光叠层上,具有开口部(70),第一电极(60)与第一半导体层(21)电性相连;及第二电极(50)与第二半导体层(23)电性相连;其中,第二电极(50)填充开口部(70),其与透明导电层(40)接触的位置具有一凹陷部(54),并镶嵌在透明导电层(40)内。从而在发光二极管结构封装过程中可以增强第二电极与横向推力抗衡,避免在封装打线的过程中发生剥离的情况。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)