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1. (WO2016000363) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES AU POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/000363 N° de la demande internationale : PCT/CN2014/089661
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 28.10.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176, CN
Inventeurs : ZHANG, Jiaxiang; CN
JIANG, Xiaohui; CN
YAN, Changjiang; CN
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201410305957.730.06.2014CN
Titre (EN) LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES AU POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN) A low temperature poly-silicon thin film transistor array substrate and a manufacturing method therefor and a display device. The array substrate comprises a substrate (1), a ploy-silicon active layer (2) arranged on the substrate, a first insulating layer (3) arranged on the active layer, a plurality of grids (7) and grid lines which are arranged on the first insulating layer, a second insulating layer (4) arranged on the grids, a source (5), a drain (6) and a data line which are arranged on the second insulating layer, and a pixel electrode (8) electrically connected with the drain, wherein the source covers the plurality of grids. The grids are arranged just below a source, the drain current is reduced, and the aperture rate of a panel is also improved.
(FR) L'invention concerne un substrat de matrice de transistors à couches minces au polysilicium basse température et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage. Le substrat de matrice comprend un substrat (1), une couche active de polysilicium (2) disposée sur le substrat, une première couche isolante (3) disposée sur la couche active, une pluralité de grilles (7) et des lignes de grille qui sont disposées sur la première couche isolante, une seconde couche isolante (4) disposée sur les grilles, une source (5), un drain (6) et une ligne de données qui sont disposés sur la seconde couche isolante, et une électrode de pixel (8) électriquement connectée au drain, la source couvrant la pluralité de grilles. Les grilles sont disposées juste au-dessous d'une source, le courant de drain est réduit, et le taux d'ouverture d'un panneau est également amélioré.
(ZH) 一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置。该阵列基板,包括:基板(1);设置在基板上的多晶硅有源层(2);设置在有源层上的第一绝缘层(3);设置在第一绝缘层上的多个栅极(7)和栅线;设置在栅极上的第二绝缘层(4);设置在第二绝缘层上的源极(5)、漏极(6)和数据线;以及与漏极电连接的像素电极(8);该源极覆盖多个栅极。将多个栅极布置在源极正下方,不但减小了漏电流,还提高了面板的开口率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)