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1. (WO2015199539) SOURCE DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/199539 N° de la demande internationale : PCT/NL2015/050463
Date de publication : 30.12.2015 Date de dépôt international : 25.06.2015
CIB :
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/513 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H05H 1/24 (2006.01) ,H01L 21/314 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
50
au moyen de décharges électriques
513
utilisant des jets de plasma
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
Déposants :
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 NL-2595 DA 's-Gravenhage, NL
Inventeurs :
CREYGHTON, Yves Lodewijk Maria; NL
POODT, Paulus Willibrordus George; NL
SIMOR, Marcel; NL
ROOZEBOOM, Freddy; NL
Mandataire :
JANSEN, C.M.; NL
Données relatives à la priorité :
14173878.125.06.2014EP
Titre (EN) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
(FR) SOURCE DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE
Abrégé :
(EN) Plasma source and surface treatment method. A plasma source has an outer surface (12), interrupted by an aperture (14) for delivering an atmospheric plasma from the outer surface. A transport mechanism (11) transports a substrate (10) in parallel with the outer surface, closely to the outer surface, so that gas from the atmospheric plasma may form a gas bearing between the outer surface the and the substrate. A first electrode (16a,b) of the plasma source has a first and second surface extending from an edge of the first electrode that runs along the aperture. The first surface defines the outer surface on a first side of the aperture. The distance between the first and second surface increasing with distance from the edge. A second electrode (17) covered at least partly by a dielectric layer (18) is provided with the dielectric layer facing the second surface of the first electrode, substantially in parallel with the second surface of the first electrode, leaving a plasma initiation space on said first side of the aperture, between the surface of the dielectric layer and the second surface of the first electrode. A gas inlet (19a,b) feeds into the plasma initiation space to provide gas flow from the gas inlet to the aperture through the plasma initiation space. Atmospheric plasma initiated in the plasma initiation space flows to the aperture, from which it leaves to react with the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne une source de plasma et un procédé de traitement de surface. Une source de plasma présente une surface extérieure (12), interrompue par une ouverture (14) pour distribuer un plasma atmosphérique depuis la surface extérieure. Un mécanisme de transport (11) transporte un substrat (10) en parallèle avec la surface extérieure, à proximité de la surface extérieure, de sorte qu'un gaz provenant du plasma atmosphérique puisse former un palier à gaz entre la surface extérieure et le substrat. Une première électrode (16a,b) de la source de plasma comporte une première et une seconde surface s'étendant depuis un bord de la première électrode qui s'étend le long de l'ouverture. La première surface délimite la surface extérieure sur un premier côté de l'ouverture. La distance entre la première et la seconde surface augmente avec la distance à partir du bord. Une seconde électrode (17) recouverte au moins en partie par une couche diélectrique (18) est dotée de la couche diélectrique faisant face à la seconde surface de la première électrode, sensiblement en parallèle avec la seconde surface de la première électrode, en laissant un espace d'amorçage de plasma sur ledit premier côté de l'ouverture, entre la surface de la couche diélectrique et la seconde surface de la première électrode. Une entrée de gaz (19a,b) donne sur l'espace d'amorçage de plasma pour former un écoulement de gaz de l'entrée de gaz à l'ouverture, à travers l'espace d'amorçage de plasma. Le plasma atmosphérique amorcé dans l'espace d'amorçage de plasma s'écoule vers l'ouverture, qu'il quitte pour réagir avec la surface du substrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20170137939EP3161182
Demande de signalement aux fins de licence Le déposant a demandé au Bureau international de signaler qu'il est disposé à concéder une(des) licence(s) portant sur l'invention ou les inventions revendiquée(s) dans la présente demande internationale.