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1. (WO2015179764) BOÎTIER COMPACT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/179764 N° de la demande internationale : PCT/US2015/032179
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 22.05.2015
CIB :
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 21/98 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
98
Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538
la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
Déposants :
INVENSAS CORPORATION [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134, US
Inventeurs :
UZOH, Cyprian, Emeka; US
Mandataire :
LATTIN, Christopher, W.; US
Données relatives à la priorité :
14/284,96922.05.2014US
Titre (EN) COMPACT SEMICONDUCTOR PACKAGE AND RELATED METHODS
(FR) BOÎTIER COMPACT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) A method of forming a semiconductor package includes providing a substrate having one or more conductive elements disposed therein. Each conductive element extends from a first surface of the substrate toward a second surface of the substrate extending beyond the second surface. The second surface comprises one or more substrate regions not occupied by a conductive element. A first die is attached within a substrate region, and the first die is coupled to at least one of the conductive elements. The first die may be coupled to at least one of the conductive elements by a wire bond connection. Alternatively, an RDL is formed over the second surface, and the first die is coupled to at least one conductive element through the RDL. A second die may be attached to an outer surface of the RDL, and the second die is electrically coupled to the first die through the RDL.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un boîtier à semi-conducteurs, ledit procédé consistant à fournir un substrat dans lequel sont disposés un ou plusieurs éléments conducteurs. Chaque élément conducteur s'étend depuis une première surface du substrat vers une seconde surface du substrat s'étendant au-delà de la seconde surface. La seconde surface comprend une ou plusieurs régions de substrat qui non occupées par un élément conducteur. Une première puce est fixée dans une région de substrat, et la première puce est couplée à au moins l'un des éléments conducteurs. La première puce peut être couplée à au moins l'un des éléments conducteurs par une connexion de soudure de fils. En variante, une couche de redistribution est formée sur la seconde surface et la première puce est couplée à au moins un élément conducteur à travers la couche de redistribution. Une seconde puce peut être fixée à une surface externe de la couche de redistribution, et la seconde puce est couplée électriquement à la première puce à travers la couche de redistribution.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
KR1020170007813