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1. (WO2015179671) TRANSISTOR À EFFET TUNNEL VERTICAL À POLARITÉ N ET À BASE DE NITRURE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/179671 N° de la demande internationale : PCT/US2015/032019
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 21.05.2015
CIB :
H01L 29/73 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73
Transistors bipolaires à jonction
Déposants :
ARIZONA BOARD OF REGENTS ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY [US/US]; 1475 North Scottsdale Road, Suite 200 Scottsdale, AZ 85257, US
Inventeurs :
CHOWDHURY, Srabanti; US
JI, Dong; US
Mandataire :
ROCHE, Richard, T.; US
Données relatives à la priorité :
62/001,54321.05.2014US
Titre (EN) III-NITRIDE BASED N POLAR VERTICAL TUNNEL TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET TUNNEL VERTICAL À POLARITÉ N ET À BASE DE NITRURE III
Abrégé :
(EN) A semiconductor structure, device, or N-polar Ill-nitride vertical field effect transistor. The structure, device, or transistor includes a current blocking layer and an aperture region. The current blocking layer and aperture region are comprised of the same material The current blocking layer and aperture region are formed by polarization engineering and not doping or implantation. A method of making a semiconductor structure, device, or Ill-nitride vertical transistor. The method includes obtaining, growing, or forming a functional bilayer comprising a barrier layer and a two-dimensional electron gas-containing layer. The functional bilayer is not formed via a regrowth step.
(FR) La présente invention concerne une structure à semi-conducteur, un dispositif ou un transistor à effet de champ vertical à base de nitrure III et à polarité N. La structure, le dispositif ou le transistor comprend une couche de blocage de courant et une région d'ouverture. La couche de blocage de courant et la région d'ouverture sont constituées du même matériau. La couche de blocage de courant et la région d'ouverture sont formées par ingénierie de polarisation et non par dopage ou implantation. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à semi-conducteur, d'un dispositif ou d'un transistor vertical à base de nitrure III. Le procédé consiste à obtenir, à faire croître ou à former une bicouche fonctionnelle comprenant une couche barrière et une couche en deux dimensions contenant un gaz d'électrons. La bicouche fonctionnelle n'est pas formée par l'intermédiaire d'une étape de nouvelle croissance.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
US20170229569