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1. (WO2015179593) DISPOSITIFS DE COMMUTATION À RÉSISTANCE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/179593 N° de la demande internationale : PCT/US2015/031889
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 21.05.2015
CIB :
H01L 47/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
47
Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA [US/US]; 3160 Chestnut Street, Suite 200 Philadelphia, PA 19104, US
Inventeurs :
CHEN, I-wei; US
LU, Yang; US
Mandataire :
CALDWELL, John, W.; US
Données relatives à la priorité :
62/001,37421.05.2014US
Titre (EN) NON-VOLATILE RESISTANCE SWITCHING DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE COMMUTATION À RÉSISTANCE NON VOLATILE
Abrégé :
(EN) The present disclosure provides, inter alia, amorphous materials useful in electronic devices such as memory devices. In some embodiments, these materials include a semiconductor having an electronegative element doped within. The present invention may b understood more readily by reference to the following detailed description taken in connection with the accompanying figures and examples, which form a part of this disclosure. It is to be understood that this invention is not limited to the specific devices, methods, applications, conditions or parameters described and/or shown herein, and that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments by way of example only and is not intended to be limiting of the claimed invention.
(FR) La présente invention concerne, entre autres, des matériaux amorphes utiles dans des dispositifs électroniques tels que des dispositifs de mémoire. Dans certaine formes de réalisation, ces matériaux comprennent un semi-conducteur ayant un élément électronégatif dopé incorporé. La présente invention peut être comprise plus facilement par une référence à la description détaillée suivante considérée en liaison avec les figures et les exemples joints, qui font partie de cette invention. Il est à noter que cette invention n'est pas limitée aux dispositifs, procédés, applications, états ou paramètres spécifiques décrits et/ou illustrés ici, et que la terminologie utilisée dans la présente invention a pour but de décrire des formes de réalisation particulières présentées à titre d'exemple uniquement et n'est pas destinée à limiter la présente invention.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
US20170084832