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1. (WO2015178857) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE GERMANIUM-SUR-ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/178857 N° de la demande internationale : PCT/SG2015/050121
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 22.05.2015
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, Massachusetts 02139-4307, US
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue Singapore 639798, SG
Inventeurs :
LEE, Kwang Hong; SG
TAN, Chuan Seng; SG
TAN, Yew Heng; SG
CHONG, Gang Yih; SG
FITZGERALD, Eugene A.; US
BAO, Shuyu; SG
Mandataire :
FOO, Chee Hiong, Ricky; SG
Données relatives à la priorité :
62/002,33123.05.2014US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A GERMANIUM-ON-INSULATOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE GERMANIUM-SUR-ISOLANT
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate is disclosed. The method comprises: providing (102) a first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate formed with a germanium layer; bonding (102) the first semiconductor substrate to the second semiconductor substrate using at least one dielectric material to form a combined substrate, the germanium layer being arranged intermediate the first and second semiconductor substrates; removing (104) the second semiconductor substrate from the combined substrate to expose at least a portion of the germanium layer with misfit dislocations; and annealing (106) the combined substrate to enable removal of the misfit dislocations from the portion of the germanium layer.
(FR) Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de germanium-sur-isolant. Ledit procédé comprend les étapes consistant à : utiliser (102) un premier substrat semi-conducteur et un second substrat semi-conducteur formé avec une couche de germanium ; coller (102) le premier substrat semi-conducteur sur le second substrat semi-conducteur au moyen d'au moins un matériau diélectrique pour former un substrat combiné, la couche de germanium étant agencée entre les premier et second substrats semi-conducteurs ; éliminer (104) le second substrat semi-conducteur du substrat combiné pour exposer au moins une partie de la couche de germanium avec dislocations d'interface ; et recuire (106) le substrat combiné pour permettre d'éliminer dislocations d'interface de la partie de la couche de germanium.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
SG11201609278QJP2017520936US20170271201