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1. (WO2015178519) TRANSISTOR INCLUANT UNE SÉLECTION D'AU MOINS UNE DÉFORMATION DE FLEXION DE GRAPHÈNE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE POSITION POUR COMMANDER AU MOINS UNE FONCTION DE TRAVAIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/178519 N° de la demande internationale : PCT/KR2014/004553
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 22.05.2014
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
이윤택 LEE, Yountek [KR/KR]; KR
Inventeurs :
이윤택 LEE, Yountek; KR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TRANSISTOR INCLUDING SELECTION OF AT LEAST ONE FROM AT LEAST ONE BENDING DEFORMATION OF GRAPHENE OR POSITION SHIFT TO CONTROL AT LEAST ONE WORK FUNCTION
(FR) TRANSISTOR INCLUANT UNE SÉLECTION D'AU MOINS UNE DÉFORMATION DE FLEXION DE GRAPHÈNE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE POSITION POUR COMMANDER AU MOINS UNE FONCTION DE TRAVAIL
(KO) 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a transistor including a selection of at least one from at least one bending deformation of graphene or position shift to control at least one work function, and provides a transistor including a selection of at least one from at least one bending deformation of graphene or position shift, and including, in a lower portion of the graphene, a selection of at least one from the control of at least one Schottky barrier height or the control of at least one Fermi level height and a selection of at least one from at least one of piezo materials, magnetic particles, particles having a charge, or charged particles to control at least one work function such that the selection of at least one from at least one of piezo materials, magnetic particles, particles having a charge, or charged particles leads to the selection of at least one from at least one bending deformation of graphene or position shift due to the electrostatic levels of crossing barrier control circuits. Also, the present invention relates to a transistor including a selection of at least one from at least one bending deformation of graphene or position shift to control at least one work function, and provides a transistor including a selection of at least one from at least one bending deformation of graphene or position shift to control at least one work function such that a selection of at least one from the control of at least one Schottky barrier height or the control of at least one Fermi level height leads to the selection of at least one from at least one bending deformation of graphene or position shift due to the electrostatic levels of crossing barrier control circuits.
(FR) La présente invention concerne un transistor qui inclut une sélection d'au moins une déformation de flexion de graphène et/ou d'un changement de position pour commander au moins une fonction de travail, et concerne un transistor qui inclut une sélection d'une déformation de flexion de graphène et/ou d'un changement de position, et qui inclut, dans une partie inférieure du graphène, une sélection de la commande d'au moins une hauteur de barrière de Schottky et/ou de la commande d'au moins une hauteur de niveau de Fermi et une sélection d'au moins un parmi des matériaux piézo-électriques, et/ou de particules magnétiques, et/ou de particules qui possèdent une charge, et/ou de particules chargées pour commander au moins une fonction de travail de telle sorte que la sélection d'au moins un parmi des matériaux piézo-électriques, et/ou de particules magnétiques, et/ou de particules qui possèdent une charge, et/ou de particules chargées ait pour résultat la sélection d'au moins une déformation de flexion de graphène et/ou d'un changement de position en raison des niveaux électrostatique de circuits de commande de barrière de croisement. En outre, la présente invention concerne un transistor qui inclut une sélection d'au moins une déformation de flexion de graphène et/ou d'un changement de position pour commander au moins une fonction de travail, et concerne un transistor qui inclut une sélection d'au moins une déformation de flexion de graphène et/ou d'un changement de position pour commander au moins une fonction de travail de telle sorte qu'une sélection de la commande d'au moins une hauteur de barrière de Schottky et/ou la commande d'au moins une hauteur de niveau de Fermi ait pour résultat la sélection d'au moins une déformation de flexion de graphène et/ou d'un changement de position en raison des niveaux électrostatiques de circuits de commande de barrière de croisement.
(KO) 본 발명은 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 관한 것으로, 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 하나 이상의 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 관한 것으로, 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여, 하나 이상의 쇼키장벽(Schottky Barrier)의 높이를 하나 이상 조절, Fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 중 하나 이상 선택되는 것을 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것으로 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)
Also published as:
KR1020170009817