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1. (WO2015178369) FEUILLE DE LIAISON/DÉCOUPE DE PUCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/178369 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/064302
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 19.05.2015
CIB :
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
[IPC code unknown for B23K 26/53]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
Déposants :
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
Inventeurs :
古谷 涼士 FURUTANI, Ryouji; JP
鈴村 浩二 SUZUMURA, Kouji; JP
岩永 有輝啓 IWANAGA, Yukihiro; JP
中村 祐樹 NAKAMURA, Yuuki; JP
Mandataire :
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; JP
Données relatives à la priorité :
2014-10725123.05.2014JP
Titre (EN) DIE BONDING/DICING SHEET
(FR) FEUILLE DE LIAISON/DÉCOUPE DE PUCES
(JA) ダイボンドダイシングシート
Abrégé :
(EN) Provided is a die bonding/dicing sheet which, when used for producing a semiconductor device by a stealth dicing method, can inhibit the adhesive layer, during expansion, from shedding from the pressure-sensitive adhesive layer and scattering to adhere to the semiconductor chips. The die bonding/dicing sheet is one which, at time of use, is applied to a support member for semiconductor element mounting thereon and, comprises: a first substrate which is releasable; an adhesive layer formed on one surface of the first substrate; a pressure-sensitive adhesive layer which covers the entire upper surface of the adhesive layer and which has a peripheral part that does not overlie the adhesive layer; and a second substrate disposed on the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive layer has a plan-view contour which is larger than the plan-view contour of the support member for semiconductor element mounting, and the distance between the edge of the adhesive layer and the edge of the support member is 1-12 mm.
(FR) L’invention concerne une feuille de liaison/découpe de puces qui, lorsqu’elle est utilisée pour la production d’un dispositif semi-conducteur par un procédé de découpe discrète, peut empêcher qu’une couche adhésive, pendant l’expansion, tombe d’une couche adhésive sensible à la pression et se disperse pour coller aux puces semi-conductrices. La feuille de liaison/découpe de puces est une feuille qui, au moment de l’utilisation, est appliquée à un organe de support pour le montage d’éléments semi-conducteurs sur ce dernier, et comprend : un premier substrat qui est amovible ; une couche adhésive formée sur une surface du premier substrat ; une couche adhésive sensible à la pression qui recouvre toute la surface supérieure de la couche adhésive et dont une partie périphérique ne se superpose pas à la couche adhésive ; et un second substrat disposé sur la surface supérieure de la couche adhésive sensible à la pression. La couche adhésive présente un contour en vue planaire qui est plus large que le contour en vue planaire de l’organe de support pour le montage d’éléments semi-conducteurs, et la distance entre le bord de la couche adhésive et le bord de l’organe de support est comprise entre 1 et 12 mm.
(JA)  ステルスダイシング法に沿った半導体装置の製造において、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離及び飛散、さらに半導体チップへの付着を改善することができるダイボンドダイシングシートを提供する。半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、剥離性の第1の基材と、上記第1の基材の片面上に設けられた接着剤層と、上記接着剤層の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、上記粘着剤層の上面に設けられた第2の基材とを有し、上記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層の端部と、上記支持部材の端部との間隔が、1mm以上、12mm以下である、ダイボンドダイシングシートを構成する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
CN105140165CN205004316JPWO2015178369US20170213765KR1020170008756