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1. (WO2015178227) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/178227 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/063323
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 08.05.2015
CIB :
H03H 9/25 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H03H 3/08 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
08
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
栃下 光 TOCHISHITA, Hikari; JP
Mandataire :
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2014-10438220.05.2014JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波デバイス及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is an elastic wave device that can be reduced in size and is excellent in terms of the joining strength between an elastic wave element and a bump electrode. An elastic wave device (1) includes: a piezoelectric substrate (2); an elastic wave element (7) including an IDT electrode (4) and a pad electrode (5) having a joining layer; a package substrate (3) provided with an electrode land (3a); and a bump electrode (6) that joins the pad electrode (5) and the electrode land (3a) to each other. The joining layer has first and second main surfaces. The first-main-surface side of the joining layer and the bump electrode (6) are joined to each other to form a joint. An alloy layer is formed on the joint. The thickness of the joining layer is 2000 nm or less. The thickness of the alloy layer is 2100 nm or less. The distance from the surface of the alloy layer on the piezoelectric substrate (2) side to the second main surface of the joining layer is 1950 nm or less.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui peut être de taille réduite et qui est excellent en termes de force d'assemblage entre un élément à ondes élastiques et une électrode à bosse. Le dispositif à ondes élastiques (1) comprend : un substrat piézoélectrique (2); un élément à ondes élastiques (7) comprenant une électrode IDT (4) et une électrode pastille (5) ayant une couche d'assemblage; un substrat de boîtier (3) pourvu d'une plage de connexion d'électrode (3a); une électrode à bosse (6) qui connecte l'électrode pastille (5) et la plage de connexion d'électrode (3a) l'une à l'autre. La couche d'assemblage présente des première et seconde surfaces principales. Le côté première surface principale de la couche d'assemblage et l'électrode à bosse (6) sont assemblés l'un à l'autre pour former un joint. Une couche d'alliage est formée sur le joint. L'épaisseur de la couche d'assemblage est de 2000 nm ou moins. L'épaisseur de la couche d'alliage est de 2100 nm ou moins. La distance de la surface de la couche d'alliage côté substrat piézoélectrique (2) à la seconde surface principale de la couche d'assemblage est de 1950 nm ou moins.
(JA)  小型化を図ることができ、かつ弾性波素子とバンプ電極との接合強度に優れる、弾性波デバイスを提供する。 圧電基板2、IDT電極4及び接合層を有するパッド電極5を含む弾性波素子7と、電極ランド3aが設けられているパッケージ基板3と、前記パッド電極5と前記電極ランド3aとを接合しているバンプ電極6とを備え、前記接合層は、第1,第2の主面を有しており、前記接合層の前記第1の主面側と前記バンプ電極6とが接合されて接合部が形成され、該接合部に合金層が形成されており、前記接合層の厚みが2000nm以下であり、前記合金層の厚みが2100nm以下であり、前記合金層の前記圧電基板2側の面から前記接合層の第2の主面までの距離が1950nm以下である、弾性波デバイス1。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
US20170063328CN106464231DE112015002360JPWO2015178227