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1. (WO2015177694) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/177694 N° de la demande internationale : PCT/IB2015/053580
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 15.05.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 25.02.2016
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
Déposants :
MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome Nagaokakyo-shi Kyoto, 617-8555, JP
Inventeurs :
TORKKELI, Altti; FI
IIHOLA, Antti; FI
Mandataire :
BOCO IP OY AB; Itämerenkatu 5 FIN-00180 Helsinki, FI
Données relatives à la priorité :
2014545420.05.2014FI
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A MEMS STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE
Abrégé :
(EN) A method for creating MEMS structures comprises depositing and patterning a first mask (2) on a wafer (1) in order to define desired first areas to be etched in a first trench etching and to define desired second areas to be etched in a second trench etching. A first intermediate mask (15) is deposited and patterned on top of the first mask (2), Recession trenches (3c) are etched on parts of the wafer. After the first intermediate mask (15) is removed, first trenches (3a, 3b) are etched with further etching the recession trenches (3c). The first trenches (3a, 3b) and the recession trenches (3c) are filled with a deposit layer (4). Part of the deposit layer (4) is removed on second. A reminder is left on certain areas to function as a second mask (4"). A third mask (5) is deposited. The third mask (5) defines the final structure. The parts of the wafer (1) on the second areas are etched in the second trench etching. The masks (4") are then removed.
(FR) Cette invention concerne un procédé de fabrication de structures de microsystèmes électromécaniques, consistant à déposer et structurer un premier masque (2) sur une comprend le dépôt et la structuration d'un premier masque (2) sur une tranche (1) afin de définir des premières zones à graver dans une première gravure de tranchée et de définir de secondes zones à graver dans une seconde gravure de tranchée. Un premier masque intermédiaire (15) est déposé et structuré au-dessus du premier masque (2) et des tranchées en retrait (3c) sont gravées sur des parties de la tranche. Après l'élimination du premier masque intermédiaire (15), de premières tranchées (3a, 3b) sont gravées sans gravure supplémentaire des tranchées en retrait (3c). Les premières tranchées (3a, 3b) et les tranchées en retrait (3c) sont remplies d'une couche de dépôt (4). Une partie de la couche de dépôt (4) est retiré sur les secondes. Une partie restante est laissée sur certaines zones de façon à tenir lieu de deuxième masque (4"). Un troisième masque (5) est déposé. Ledit troisième masque (5) définit la structure finale. Les parties de la tranche (1) sur les secondes zones sont gravées pendant la seconde gravure de tranchée. Les masques (4") sont ensuite éliminés.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP3145858