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1. (WO2015177541) MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES POUR FONCTIONNEMENT DE TRANSISTOR ORGANIQUE À EFFET DE CHAMP À BASSE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/177541 N° de la demande internationale : PCT/GB2015/051478
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 20.05.2015
CIB :
H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
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Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
THE UNIVERSITY OF MANCHESTER [GB/GB]; Oxford Road Manchester M13 9PL, GB
Inventeurs :
TURNER, Michael L.; GB
FARAJI, Sheida; GB
MAJEWSKI, Leszek; GB
Mandataire :
HINKS, Nathan Joel; GB
Données relatives à la priorité :
1408946.020.05.2014GB
Titre (EN) DIELECTRIC MATERIALS FOR LOW VOLTAGE OFET OPERATION
(FR) MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES POUR FONCTIONNEMENT DE TRANSISTOR ORGANIQUE À EFFET DE CHAMP À BASSE TENSION
Abrégé :
(EN) Organic thin film transistors are disclosed, as well as processes for their manufacture and their use in electronic devices. The organic thin film transistors comprise a bilayer gate dielectric formed from a nanocomposite layer and an intermediate capping layer. The organic thin film transistors operate at very low voltages, allowing their incorporation into portable and wearable devices, as well apparatuses used in water-sensing applications.
(FR) L'invention concerne des transistors à couches minces organiques, ainsi que des procédés pour leur fabrication et leur utilisation dans des dispositifs électroniques. Les transistors à couches minces organiques comprennent un diélectrique de grille bicouche constitué d'une couche nanocomposite et d'une couche de recouvrement intermédiaire. Les transistors à couches minces organiques fonctionnent à des tensions très faibles, ce qui permet leur incorporation dans des dispositifs portables et vestimentaires, ainsi que des appareils utilisés dans des applications de détection d'eau.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)