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1. (WO2015176873) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/176873 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/058055
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 14.04.2015
CIB :
H01L 33/42 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
42
Matériaux transparents
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
PERZLMAIER, Korbinian; DE
MUERMANN, Björn; DE
KOPP, Fabian; DE
HÖPPEL, Lutz; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2014 107 306.123.05.2014DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(DE) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22), - Aufbringen einer ersten und einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), - Aufbringen einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52), wobei - die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind, - im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4), und - im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten aufeinander folgen: eine dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4).
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor chip (1), comprising the following steps: providing a semiconductor layer sequence (2) having an active zone (22), applying a first and a second contact layer (31, 32) to the semiconductor layer sequence (2), applying a contact metallization (4) to the second contact layer (31, 32) in a first and in a second electrical contact region (51, 52), wherein the first and the second contact layer (31, 32) are each formed of a transparent conductive oxide, the following layers follow one another in the first electrical contact region (51): the semiconductor layer sequence (2), the first contact layer (31, 32), the second contact layer (31, 32), the contact metallization (4), and the following layers follow one another in the second electrical contact region (52): a doped semiconductor layer (21) of the semiconductor layer sequence (2), the second contact layer (31, 32), the contact metallization (4).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce de semi-conducteur optoélectronique (1) comprenant les étapes consistant à : ‑ préparer une succession de couches semi-conductrices (2) possédant une zone active (22), ‑ déposer une première et une deuxième couche de contacts (31, 32) sur la succession de couches semi-conductrices (2), ‑ déposer une métallisation de contacts (4) sur la deuxième couche de contacts (31, 32) dans une première et dans une deuxième zone de contacts électriques (51, 52), ‑ la première et la deuxième couche de contacts (31, 32) étant constituées chacune d'un oxyde conducteur transparent, ‑ dans la première zone de contacts électriques (51), les couches suivantes sont disposées à la suite les unes des autres : la succession de couches semi-conductrices (2), la première couche de contacts (31, 32), la deuxième couche de contacts (31, 32), la métallisation de contacts (4), et ‑ dans la deuxième zone de contacts électriques (52), les couches suivantes sont disposées à la suite les unes des autres : une couche semi-conductrice dopée (21) de la succession de couches semi-conductrices (2), la deuxième couche de contacts (31, 32), la métallisation de contacts (4).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)