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1. (WO2015176834) PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE MOYENS OPAQUES AU RAYONNEMENT POUR UN ENSEMBLE FONCTIONNEL
Note: Texte fondé sur des processus automatiques de reconnaissance optique de caractères. Seule la version PDF a une valeur juridique

Verfahren zum Herstellen strahlungsundurchlässiger Mittel für eine Funktionseinheit

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen

strahlungsundurchlässiger Mittel, die zumindest eine mehrere Funktionselemente umfassende Funktionseinheit abschirmend umgeben, wobei die Funktionseinheit eine Oberseite, eine Rückseite sowie umlaufende Seitenkanten aufweist, und wobei mehrere Funktionseinheiten in einem Waferverband

zusammenhängend gemeinsam erzeugt werden.

Eine Funktionseinheit stellt eine funktionelle Einheit dar, die als ein nach Aufgabe und Wirkung abgegrenztes Gebilde angesehen werden kann. Vorliegend kann darunter jedwede Art von Messgrößen- oder Messaufnehmer verstanden werden, der bestimmte physikalische oder chemische Eigenschaften, wie Wärmestrahlung, Temperatur, Feuchtigkeit, Druck, Schall, Helligkeit oder Beschleunigung und/oder die stoffliche

Beschaffenheit seiner Umgebung qualitativ oder als Messgröße quantitativ erfassen kann. Diese Größen werden mittels physikalischer oder chemischer Effekte erfasst und in ein weiterverarbeitbares elektrisches Signal umgeformt.

Ein Strahlungssensor stellt beispielsweise eine solche

Funktionseinheit dar. Unter einem Strahlungssensor ist ein Bauteil zur Messung elektromagnetischer Strahlung zu

verstehen. Je nach Bauweise des Sensors kann mit diesem Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge nachgewiesen werden.

Je nachdem welche Aufgabe mit der Funktionseinheit gelöst werden soll, kommen unterschiedliche Detektoren bzw.

Sensoren zum Einsatz. Beispielsweise können Photozellen zum Nachweis von Licht (nahes Infrarot (NIR) bis ultravioletter Strahlung (UV) ) , Photomultiplier als hochempfindliche

Detektoren für NIR bis UV-Strahlungsanteile,

Fotowiderstände, Fotodioden und Fototransistoren zum

Nachweis von sichtbarem Licht, NIR und UV, CCD-Sensoren zum ortsaufgelösten Nachweis von sichtbarem Licht, NIR und UV, Halbleiterdetektoren aus Silizium oder Germanium zum

Nachweis von hochenergetischer UltraviolettStrahlung

(Vakuum-UV, Extrem-UV) , sowie Röntgen- und Gammastrahlung oder Bolometer, Thermoelement, Golay-Zellen und

pyroelektrische Sensoren zum Nachweis von Strahlung aufgrund der von ihr hervorgerufenen Temperaturunterschiede,

angewendet werden.

Die Messergebnisse dieser Sensoren können allerdings durch den Einfluss von Streulicht oder anderen parasitären

Effekten verfälscht oder überlagert werden.

Bei Sensoren aus Silizium besteht z.B. der Nachteil, dass die langwelligeren Anteile einer gemessenen Strahlung eine hohe Eindringtiefe in das Silizium besitzen, mit der Folge, dass die eindringenden Photonen eine Ladungsträgergeneration und/oder Ladungsträgerabsaugung an den zumeist tief im

Bulkmaterial und von der Eintrittsstelle der zu

detektierenden Strahlung weit entfernt liegenden pn-Übergängen bewirken und damit Messwerte, die von den

Sensoren detektiert werden sollen, verfälschen. Fig. 1 zeigt die Eindringtiefe in Silizium in Abhängigkeit von der

Wellenlänge der auftreffenden Strahlung

(http : //www . elektroniknet . de/automation/ sonstiges/artikel/31 275/1/) .

Um die spektrale Sensitivität von Sensoren zu verbessern, sind aus dem Stand der Technik spektral optimierte Sensoren bekannt, beispielsweise spektral optimierte UV-Fotodioden. Spektral optimiert bedeutet im vorgenannten Beispiel, dass das spektrale Empfindlichkeitsmaximum von Detektoren im UV-Bereich bei (280...400) nm liegt, d.h. die Detektoren sind für Messungen des UV-Anteils in einem elektromagnetischen

Strahlungsspektrum optimiert. Dies kann einerseits durch die Materialauswahl für die eingesetzte Fotodiode und damit durch die vorbestimmte spektrale

Empfindlichkeitscharakteristik beeinflusst werden, zum anderen kann ein zusätzlicher Filter zum Einsatz kommen, der nur für den interessierenden UV-Wellenlängenbereich

transparent ist. Beispielsweise sind auch Fotodioden auf der Basis von Silizium-Karbid, Indium Gallium Nitrid, Gallium Nitrid oder Aluminium Gallium Nitrid bekannt.

Solche UV-empfindlichen Fotodioden werden oft auch in

Auswerte- und Steuereinheiten umfassenden Schaltungen, in sogenannten ICs integriert. Der Nachteil bekannter IC

Bauformen besteht darin, dass diese neben einer geringen UV-Empfindlichkeit auch eine hohe spektrale Empfindlichkeit im sichtbaren und Infrarot-Bereich besitzen (Fig. 2) (vgl. auch DE 10 2012 001 481 AI und D 10 2012 001 070 AI) . Somit kann der UV-Anteil in einem gemessenen LichtSpektrum nur über Korrelationsrechnungen ermittelt werden, wobei dafür das LichtSpektrum bekannt sein muss. In der Praxis ist dies allerdings oft nicht der Fall. So würde ein optischer

Sensor, welcher beispielsweise auf das Spektrum des

Sonnenlichts normiert wäre, fehlerhafte Messwerte bei

Betrieb unter Kunstlicht liefern, aufgrund der

unterschiedlichen Wellenlängenanteile im Spektrum des Kunst-und Sonnenlichtes. Auch spielt die zeitliche Änderung des

Spektrums des Sonnenlichtes im Laufe eines Tages eine Rolle. Wird die zeitliche Änderung nicht berücksichtigt, liefert die Messung des UV-Licht-Anteiles nur ungenaue Werte. Daher sind exakte Messungen des UV-Licht-Anteils einer

Strahlungsquelle nur möglich, wenn der Sensor ausschließlich im zu messenden UV-Bereich empfindlich bzw. sensitiv ist. Unter einer Strahlungsquelle kann jeder Körper mit einer Temperatur über dem absoluten Nullpunkt verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung aussendet. Jeder Körper mit einer Temperatur über dem absoluten Nullpunkt sendet ein charakteristisches elektromagnetisches Spektrum in

Abhängigkeit von seiner Temperatur aus.

Die bisher beschriebenen Lösungen erfordern spezielle

Packaging Technologien, die zurzeit relativ schwer

beherrschbar oder kostenintensiv sind. Ein Problem besteht darin, geeignete Materialien zu finden, die hinreichend undurchlässig sind, beispielsweise für infrarote Strahlung und sich kostengünstig und einfach in die zur Abschirmung vorgesehenen Kavitäten einbringen lassen.

Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, für eine

Funktionseinheit, wie beispielsweise für einen integrierten Schaltkreis (integrated circuit - IC) eines Lichtsensors , die Einstrahlung von Streulicht derart abzuschirmen, dass die Einstrahlung von der Seite sowie von oben außerhalb der Funktionselemente unterbunden wird.

Es ist weiterhin eine Aufgabe der Erfindung den Eintritt unerwünschter Strahlung an jeglichen Außenseiten der

Funktionseinheit, die nicht als aktive Fläche zur Umwandlung einfallender Strahlung in ein auswertbares Signal vorgesehen sind, zu unterbinden.

Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, die effektive Anzahl der Funktionseinheiten in einem Waferverband zu erhöhen, die Herstellung zu vereinfachen und damit die Herstellungskosten zu senken.

Die Aufgabe der Erfindung wird dadurch gelöst, dass folgende Verfahrensschritte sequentiell durchlaufen werden: Zunächst wird ein Graben zwischen nebeneinander angeordneten

Funktionseinheiten eingebracht, wobei die Funktionseinheiten zuvor zusammenhängend gemeinsam in einem Waferverband erzeugt wurden. Derartig Funktionseinheiten können

beispielsweise mit der bekannten CMOS-Technologie

hergestellt werden. Anschließend werden

strahlungsundurchlässige Mittel an den Oberflächen des erzeugten Grabens und unmittelbar an den an den Graben angrenzenden Randbereichen der Oberseite der

Funktionseinheit abgeschieden. Dafür können sowohl

Maskierungstechniken im Additiv- als auch Subtraktiv-Verfahren genutzt werden, z.B. unter Verwendung von

Positivresist- oder Negativresist-Schichten . Abschließend werden die Funktionseinheiten mit den

strahlungsundurchlässigen Mitteln zerstörungsfrei

vereinzelt. Unter einer zerstörungsfreien Vereinzelung ist dabei zu verstehen, dass die Funktionseinheiten mit den Funktionselementen aus dem Waferverband gelöst werden, ohne dass die erzeugten strahlungsundurchlässigen Mittel

beschädigt werden und die strahlungsundurchlässigen Mittel damit vollumfänglich den Strahlungseintritt in die

Funktionseinheit sowohl von den Seitenkanten als auch von der Oberseite an den definierten Stellen unterbinden.

Der Strahlungseintritt von der Oberseite der

Funktionseinheit wird in einer Ausgestaltung der Erfindung dadurch unterbunden, dass die strahlungsundurchlässigen Mittel auf die am Rand der Funktionseinheit angeordneten Funktionselemente teilweise überlappend abgeschieden werden. Damit tritt die einfallende Strahlung nur an den definierten Stellen, an denen sich die Funktionselemente befinden, in die Funktionseinheit ein. Damit werden die aufgenommenen Signale dieser Funktionseinheiten durch den Einfluss von Streulicht und/oder anderen parasitären Effekten nicht verfälscht. Die Funktionseinheit kann beispielsweise ein Sensor mit optischen Filtern sein, die eine Selektion spezieller LichtSpektren für die Verarbeitung in den

Sensorelementen erlauben.

In einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die strahlungsundurchlässigen Mittel galvanisch abgeschieden. Beispielsweise können die

strahlungsundurchlässigen Mittel durch Metal-plating-Prozesse, wie z.B. einem Kupfer-Elektroplating Prozess erzeugt werden, mit denen die Oberflächen der erzeugten Gräben und weitere unmittelbar an die Gräben angrenzende Randbereiche auf der Waferoberseite überzogen werden.

Die Abscheidung erfolgt dabei nur in Gebieten, die durch eine vorgelagerte Strukturierung von Zwischenschichten für den Plating-Prozess aktiviert wurden (Maskierungsprozess ) . Unter Zwischenschichten werden dabei Maskierungsschichten verstanden, die dazu dienen, nur Gebiete auf der

Waferoberfläche frei zu geben, an denen die

strahlungsundurchlässigen Mittel abgeschieden werden sollen und diejenigen Gebiete zu bedecken, auf denen keine

strahlungsundurchlässigen Mittel abgeschieden werden sollen. Für die Maskierung werden z.B. Fotolacke eingesetzt, die mittels fotolithographischer Verfahren strukturiert werden.

In einer möglichen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen

Verfahrens kann eine Zwischenschicht derart strukturiert werden, dass die als positive Maske für den Abscheideprozess der strahlungsundurchlässigen Mittel dient. Dabei ist unter einer positiven Maske eine Schicht in Form eines Seed-Layers (eine sogenannte Keimschicht) zu verstehen, die jene Stellen definiert, an denen sich Metall abscheiden kann.

In einer anderen möglichen Ausgestaltung des

erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Zwischenschicht auch derart strukturiert werden, dass sie als negative Maske für den Abscheideprozess der strahlungsundurchlässigen Mittel wirkt. In diesem Fall ist unter einer negativen Maske eine Schicht in Form einer Schutzschicht zu verstehen, die jene Bereiche der Waferoberflache schützt, die keine Abscheidung erfahren sollen.

Nachdem eine Maskierungsschicht auf der Waferoberflache aufgebracht und strukturiert wurde, wird das

strahlungsundurchlässige Mittel vollflächig auf die

Oberfläche der Oberseiten der Funktionselemente im

Waferverband und auf die Oberfläche des erzeugten Grabens abgeschieden. Anschließend werden zumindest in den

strahlungsaktiven Bereichen der Funktionselemente, das überschüssige Material wieder entfernt.

In einer Ausgestaltung der Erfindung wird eine Metallschicht als strahlungsundurchlässiges Mittel mit einer

strahlungsundurchlässigen Dicke abgeschieden. Als

strahlungsundurchlässiges Mittel kann in einer Ausgestaltung der Erfindung Kupfer verwendet werden. Aber auch andere

Materialien, wie beispielsweise Aluminium, Silber, Gold u.a. können als strahlungsundurchlässiges Material eingesetzt werden .

In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird

zumindest ein Funktionselement, das an dem Rand der

Funktionseinheit ausgebildet ist, als

strahlungsundurchlässiges Mittel abgeschieden. Ein

Funktionselement einer Funktionseinheit kann beispielsweise ein Filterelement zur Selektion spezieller LichtSpektren für die Verarbeitung in Sensorelementen sein. Dafür muss der

Filter nach einer Grabenätzung so abgeschieden werden, dass er in den Graben hineinreicht. In diesem Fall kann

beispielsweise ein CVD-Prozess (Chemical Vapour Deposition) angewendet werden.

Bevor die Abscheidung der strahlungsundurchlässigen Mittel auf den Strukturierungsprozess erfolgen kann, werden die Funktionseinheiten, die in einem zusammenhängenden

Waferverband hergestellt wurden durch Gräben voneinander getrennt. Die Gräben werden in einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens durch einen Ätzprozess

eingebracht. Der Vorteil der Anwendung eines Ätzprozesses liegt vor allem darin, dass damit die effektive Anzahl von Chips pro Wafer erhöht werden kann, als durch den Ersatz eines Wafer-Sägeprozesses möglich ist. Denn dies ermöglicht eine Verringerung des aus der Sägeblattbreite resultierenden nicht nutzbaren Abstandes zwischen zwei Chips (Scribe Line) , d.h. zwischen zwei Funktionseinheiten. Dadurch erhöht sich die für aktive Schaltungen nutzbare Fläche auf dem Wafer.

Für eine zerstörungsfreie Vereinzelung der

Funktionseinheiten werden die Funktionseinheiten in einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit ihren Rückseiten im zusammenhängenden Waferverband auf eine

Rückseitenfolie aufgeklebt und auf der Rückseitenfolie vereinzelt. Zweckmäßigerweise werden die Funktionseinheiten vor dem Aufkleben auf die Rückseitenfolie von der Rückseite her in einem Schleifprozess auf die Enddicke abgedünnt . Die Gräben haben dabei vorzugsweise eine Tiefe, die etwa 5% geringer ist, als die Enddicke der Funktionseinheit. Für die Vereinzelung wird die Rückseitenfolie gleichzeitig in alle radialen Richtungen gestreckt, so dass die

Funktionseinheiten durch ein Zerreißen des Waferverbandes entlang der tiefsten Stellen des Grabens vereinzelt werden.

In einer anderen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen

Verfahrens wird der Graben tiefer geätzt als eine

vorgegebene Enddicke der Funktionseinheit. Damit wird sichergestellt, dass die Funktionseinheiten in einem

nachfolgenden Schleifprozess (Backgrinding) von der

Rückseite vereinzelt werden.

Bei beiden angeführten Vereinzelungsvarianten (Gräbenätzung tiefer oder geringer als die Enddicke der

Funktionseinheiten) werden die Funktionseinheiten vor dem Aufkleben auf die Rückseitenfolie mit ihren Oberseiten im zusammenhängenden Waferverband auf eine Oberseitenfolie 10 aufgeklebt, und die Funktionseinheiten im zusammenhängenden Waferverband auf ihre vorgegebene Enddicke dünngeschliffen.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand einiger

Ausführungsbeispiele näher erläutert werden.

Die zugehörigen Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 die Eindringtiefe in Silizium in Abhängigkeit von der Wellenlänge der auftreffenden Strahlung nach dem Stand der Technik,

Fig. 2 die Empfindlichkeit von IC-Fotodioden nach dem

Stand der Technik mit einer geringen UV- Empfindlichkeit und einer hohen spektralen

Empfindlichkeit im sichtbaren und Infrarot- Bereich,

Fig. 3 ein exemplarisches Wafer-Layout mit

Funktionseinheiten im Waferverband mit PCM Text- Strukturen mit einer Kennzeichnung der

Detailansicht IV in Fig. 4 oder ein exemplarisches Wafer-Layout mit Funktionseinheiten im

Waferverband ohne PCM Text-Strukturen mit einer

Kennzeichnung der Detailansicht V in Fig.5;

Fig. 4 Detailansicht IV aus einem Waferverband gemäß

Fig. 3 mit PCM Test-Strukturen in Scribe Lines;

Fig. 5 Detailansicht V aus einem Waferverband gemäß Fig.

3 mit Scribe Lines ohne PCM Test-Strukturen;

Fig. 6 Schematische Darstellung des

Herstellungsverfahrens sequentiell in den Verfahrensschritten a) bis k) .

Am Ausgangspunkt des Verfahrens steht ein Wafer 1 aus

Silizium, der Funktionseinheiten 2 in Form von integrierten Schaltkreisen (IC) mit optischen Sensorelementen enthält (siehe Fig. 3) . In einer speziellen Ausprägung kann der Wafer 1 auf seiner Waferoberfläche 12 zusätzlich mit

strukturierten optischen Filtern versehen sein, die eine Selektion spezieller LichtSpektren für die Verarbeitung in den Sensorelementen erlauben. Auf derartig fertig

prozessierten Wafern 1 wird im Sinne der Erfindung von der Waferoberseite 12 her kommend, ein Grabenstruktur-Gitter 5 so erzeugt, dass die Gräben 5 jeden einzelnen Chip, d.h. jede einzelne Funktionseinheit 2 im Waferverband 1 in einem definierten horizontalen Abstand komplett umschließen. Dabei erfolgt die Erzeugung der Gräben 5 in folgenden Schritten:

Mittels geeigneter fotolithographischer Strukturierung auf der Waferoberseite 12 (Fig. 6 a) und b) ) , d.h. die

Waferseite, die die aktiven Schaltungsstrukturen des IC als Funktionseinheit 2 enthält und die auch die Oberseiten der Funktionseinheiten 2 enthält, werden die Bereiche in denen die Grabenstrukturen 5 angelegt werden sollen, definiert. Alle Bereiche, in denen keine Gräben 5 entstehen sollen, werden dabei mit einer Schutzschicht 7, z.B. einer

Fotolackschicht überzogen (Fig. 6b)), die dem nachfolgenden Ätz- Prozessschritt standhält. Dieser Schritt wird auch als Trench-Etch-Prozess bezeichnet. Lediglich die Bereiche, in denen die Gräben 5 entstehen sollen, bleiben frei und gewähren direkten Zugriff auf die Waferoberfläche 12.

Vorzugsweise erfolgt das Einbringen der Gräben 5 in den sogenannten Scribe Lines 5, in denen auch die PCM Test-Strukturen 4 angeordnet sein können (Fig. 6 a) und Fig. 4) . Für einen homogenen Trench-Ät z-Prozess ist ein Waferlayout mit Scribe Lines 5 ohne PCM Test-Strukturen zu bevorzugen. Dabei können die PCM Test-Strukturen 4 auf anderen nicht störenden Bereichen der Funktionseinheit angeordnet werden.

Durch die zeitliche Dauer des Ätzprozesses auf der

Waferoberfläche 12 des Wafers 1 unter genau definierten Prozessbedingungen wird die Tiefe der Ätzgräben 5 im

Bulkmaterial 6 des Wafers 1 festgelegt. (Fig. 6 c)). Der Vorteil des Ätzprozesses besteht darin, dass damit

wesentlich geringere Strukturbreiten als bei einem

Sägeprozess realisiert werden können und dadurch kostbare Waferflache 12 eingespart werden kann.

In einer Ausführungsvariante dieses Verfahrensschrittes wird der Trench-Etch Prozess so kontrolliert und eingestellt, dass die erzeugten Gräben 5 geringfügig tiefer ausfallen, als die spätere Enddicke des Bulkmaterials 6 der am Ende des Gesamtverfahrens entstehenden vereinzelten Chips 2 ist.

In einer anderen weiteren Ausführung dieses

Verfahrensschrittes wird der Trench-Etch Prozess geringfügig vor Erreichen der Enddicke der Chips 2 beendet. Geringfügig vor Erreichen der Enddicke des Chips 2 bedeutet dabei, dass der Ätzprozess beendet wird, wenn der Ätzgraben eine Tiefe im Bulkmaterial 6 erreicht hat, die etwa 5% geringer ist, als die Enddicke der vereinzelten Chips 2. Typische

Waferenddicken nach dem Backgrinding betragen 200 bis 400 pm. Bei einer Enddicke von 200 pm beträgt die Grabentiefe somit 190 pm.

Anschließend wird die Schutzschicht 7, wieder entfernt (Fig. 6 d) ) .

Unabhängig von den Ausführungsvarianten des Ätzschrittes werden die Oberflächen der erzeugten Gräben 5 und weitere unmittelbar an die Gräben 5 angrenzende Randbereiche 14 auf der Waferoberseite 12 mittels eines Metallplating Prozesses mit einem strahlungsundurchlässigen Material 9 überzogen (Fig. 6f) ) . Dies kann z.B. durch einen Kupfer-Elektroplating Prozess erfolgen. Die Randbereiche 14 auf der Waferoberseite 12 sind dabei so breit bemessen, dass die abgeschiedene Kupferschicht einen vor Verfahrensbeginn auf der

Waferoberfläche 12 aufgebrachten optischen Filter im

Überlappungsbereich 15 überlappt. Damit wird gewährleistet, dass keinerlei Streustrahlung in die funktionellen Gebiete des IC 2 gelangen und parasitäre Signale erzeugen kann. Der Strahlungseintritt von der Rückseite 16 des Chips 2 wird durch unter dem Chip 2 angeordnete strahlungsundurchlässige Mittel 9 verhindert. Dies kann beispielsweise durch eine Metall-Fläche auf einem Micro-PCB (printed circuit board) , auf dem der Chip 2 aufgesetzt wird, erreicht werden.

Wichtig ist jedoch, dass die Dicke der abgeschiedenen

Metallschicht bzw. Funktionsschicht 9 im Abscheideprozess so gewählt und kontrolliert wird, dass weder sichtbares Licht noch Infrarot-Licht oder sonstige unerwünschte

Streustrahlung hindurchtreten kann und dementsprechend an den beschichteten Flächen eine sehr gute Abschirmungswirkung gegen Streulichteinstrahlung in das Innere des ICs 2 gewährleistet wird.

Die Abscheidung des Metalls bzw. strahlungsundurchlässigen Materials 9 erfolgt nur in Gebieten, die durch eine

vorgelagerte Strukturierung von Zwischenschichten 8 für den Plating-Prozess aktiviert wurden. Als Zwischenschichten 8 werden dabei Schichten verstanden, die dazu dienen, nur Gebiete auf der Waferoberfläche 12 frei zu geben, an denen die strahlungsundurchlässigen Mittel 9 abgeschieden werden sollen und diejenigen Gebiete zu bedecken, auf denen keine strahlungsundurchlässigen Mittel 9 abgeschieden werden sollen. Für die Maskierung werden beispielsweise Fotolacke eingesetzt, die mittels fotolithographischer Verfahren strukturiert werden. Anschließend erfolgt die Entfernung der auf der Waferoberseite 12 aufgebrachten Schutzschicht.

Zwischenschichten können aber auch die Gebiete und Stellen auf der Waferoberfläche 12 kennzeichnen, an denen sich im nachfolgenden Metall-Plating-Prozessschritt die

Metallschichten 9 bevorzugt anlagern und damit die

strahlungsundurchlässigen Mittel 9 bilden (Fig. 6 e) und f) ) ·

Im weiteren Verlauf des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt die Abdünnung des bearbeiteten Wafers 1, d.h. ein Abtrag von Bulkmaterial 6, auf die angestrebte Zieldicke der ICs 2 im Waferverband 1. Dazu wird der Wafer 1 mit seiner Oberseite 12 auf eine adhäsive Folie 10 aufgebracht und in einem

Backgrinding Prozess auf der Rückseite 16 geschliffen bis die Enddicke des Bulkmaterials 6 erreicht ist (Fig. 6 g)).

Je nachdem, wie tief der erzeugte Graben 5 geätzt wurde, vereinzeln die auf dem Wafer 1 befindlichen Chips 2 während des Backgrinding Prozessschrittes (die Grabentiefe ist größer als die Enddicke der Funktionseinheit - siehe Fig. 6 h) ) oder bleiben durch einen dünnen Steg aus Bulkmaterial 6 verbunden (die Grabentiefe ist geringer als die Enddicke der Funktionseinheit) .

Der auf die gewünschte Enddicke abgedünnte Wafer 1 wird nachfolgend mit seiner Rückseite 16 auf eine weitere

adhäsive Folie, der Rückseitenfolie 11 aufgebracht (Fig. 6 i) ) . Anschließend wird die Folie 10 auf der Oberseite 12 des Wafers 1 entfernt (Fig. 6 j)) . Dabei ist zu beachten, dass die Adhäsionskraft der Folie 10 von der Oberseite 12 des Wafers 1 vor deren Entfernung hinreichend gering ist bzw. verringert wird, so dass sie wesentlich geringer ist als die Adhäsion der Folie 11 auf der Rückseite 16 des Wafers 1. Damit wird sichergestellt, dass die in der

Ausführungsvariante des Verfahrens, bei dem die Grabentiefe größer als die Enddicke der Funktionseinheit 2 ist, die vereinzelten Chips weiterhin sicher auf der Folie 11 auf der Rückseite 16 des Wafers 1 fixiert bleiben.

Die Folie 11 auf der Rückseite 16 des Wafers 1 wird zur Unterstützung des folgenden Packaging Prozesses in einem Spannrahmen konzentrisch gespannt, sodass sich die zuvor vereinzelten Chips weiter auseinander bewegen (Fig. 6 k)).

Waren die Chips bzw. Funktionseinheiten 2 nach dem

Backgrindung Prozess zunächst noch über einen dünnen Steg verbunden, d.h. wenn die Grabentiefe geringer ist, als die Enddicke der Funktionseinheit, so bricht dieser durch die Spannung der Folie 11 auf dem Spannrahmen, sodass die Chips 2 vereinzeln und sich ebenfalls auseinander bewegen.

Damit ist der Herstellprozess der Funktionseinheiten 2 mit strahlungsundurchlässigen Mitteln 9 vor allem an den

Seitenkanten 13 abgeschlossen.

Besonders vorteilhaft ist, dass kostengünstige, einfach beherrschbare Technologien dafür genutzt werden,

strahlungsundurchlässige Mittel 9 an den Seitenkanten 13 und allen notwendigen Stellen auf der Funktionseinheit 2 auszubilden, ohne dass diese Mittel 9 bei sich

anschließenden Vereinzelungs- und Packaging-Prozessen zerstört oder in ihrer Abschirmungsfunktion beeinträchtigt werden .

Für die beschriebene Anwendung des erfindungsgemäßen

Verfahrens ist weiterhin zu beachten, dass die Abstände, die sogenannten Scribe Lines 3 zwischen den ICs , d.h. den

Funktionseinheiten 2 auf einem Wafer 1, durch die Wafer Foundry häufig mit PCM Test-Strukturen 4 aufgefüllt sind, die für die Prozess Kontrolle innerhalb der Wafer Foundry und für einen effektiven Ausgangs-Qualitäts-Check bei der Endkontrolle benötigt werden. Dies ist schematisch in Figur 4 dargestellt. Daher setzt der beschriebene Ätzprozess zur Erzeugung des Grabenstruktur-Gitters 5 auf dem Wafer 1 voraus, dass sich im Bereich des Graben-Gitters 5 keine Metalle oder andere Schaltungsstrukturen befinden, wie sie üblicherweise in PCM Test-Strukturen 4 auftreten.

Entsprechend muss sichergestellt werden, dass sich in den Scribe Lines 3, an den Stellen wo die Gräben 5 entstehen sollen, keine PCM Strukturen befinden (siehe Fig. 5) . Die PCM Strukturen können aber in speziellen eigenständigen Bereichen im Wafer- bzw. Maskenlayout untergebracht und gleichartige „leere" Sribe Lines, wie zwischen den ICs umgeben werden.

Die für den Ätz-Prozess notwendige minimale Scribe Line Breite ergibt sich aus folgendem Verhältnis

Finale Zieldicke des Chips 20

Breite der Scibe Line 1 + Toleranzaufschlag

Die Standarddicke eines Wafers nach der Waferfertigung beträgt ca. 725 pm.

Typische Endwaferdicken nach dem Backgrinding betragen etwa 200 bis 400 pm.

Für Endwaferdicke von 400 pm läge nach obiger Formel die minimale notwendige Scribe Line Breite bei ca. 23 bis 25 pm.

Typische Scribe Line Breiten im Fall von darin

untergebrachten PCM Strukturen liegen bei 90 bis 110 pm. Diese Abmaße werden allerdings in erster Linie von der Größe der PCM Teststrukturen bestimmt. Auch konventionelle Dicing Verfahren wie z.B. Sägen oder Laser Dicing benötigen bereits geringere minimale Scribe Line breiten, wenn keine PCM

Strukturen enthalten sind. Es ist bereits bei Anwendung der konventionellen Dicing Verfahren üblich, eine Trade-Off Analyse durchzuführen, ob eine Positionierung der PCM

Strukturen in der Scribe Line oder an einem gesonderten Ort auf dem Wafer in Bezug auf die Gesamtanzahl der Chips pro Wafer günstiger ist.

Verfahren zum Herstellen strahlungsundurchlässiger Mittel für eine Funktionseinheit

Bezugszeichenliste

Wafer, Waferverband

Funktionseinheit, Chip, IC

Gebiet zwischen den Funktionseinheiten, sog. Scribe Lines

PCM Test-Strukturen

Graben

Bulkmaterial des Wafers

Schutzschicht, Maskierungsschicht

Zwischenschicht

strahlungsundurchlässige Mittel

Oberseitenfolie

Rückseitenfolie

Waferoberflache

Seitenkanten

Randbereich der Funktionseinheit

Überlappungsbereich der Randgebiete der

Funktionseinheit und der strahlungsundurchlässigen Mittel

Rückseite der Funktionseinheit, Waferrückseite