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1. (WO2015176002) DOPAGE DANS DES DISPOSITIFS À BASE DE NITRURE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/176002 N° de la demande internationale : PCT/US2015/031190
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 15.05.2015
CIB :
H01L 29/207 (2006.01) ,H01L 29/36 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
207
caractérisés en outre par le matériau de dopage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
36
caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607, US
Inventeurs :
YOUNG, Nathan G.; US
FARRELL, Robert M.; US
WEISBUCH, Claude C.A.; FR
SPECK, James S.; US
DENBAARS, Steven P.; US
MISHRA, Umesh K.; US
NAKAMURA, Shuji; US
Mandataire :
GATES, George H.; US
Données relatives à la priorité :
61/993,80415.05.2014US
62/074,95004.11.2014US
Titre (EN) DOPING IN III-NITRIDE DEVICES
(FR) DOPAGE DANS DES DISPOSITIFS À BASE DE NITRURE III
Abrégé :
(EN) Doping in Ill-nitride devices can be used for effective polarization field screening, wherein doped layers are adjacent to the outermost extents of light-emitting layers, or the doped layers are offset more than 1 nm from the furthest extents of the light-emitting layers, or the doped layers are within a multiple quantum well active region comprising the light-emitting layers. In addition, germanium (Ge) can be used as an n-type dopant in highly-doped Ill-nitride layers, because it does not add significant strain to a Ill-nitride lattice while maintaining smooth morphology beyond a concentration of 1E20 cm-3.
(FR) L'invention concerne le dopage dans des dispositifs à base de nitrure III, qui peut être utilisé pour la détection efficace de champ de polarisation, les couches dopées étant adjacentes aux limites les plus externes de couches photoémettrices, ou les couches dopées étant décalées de plus de 1 nm par rapport aux limites les plus éloignées des couches photoémettrices, ou les couches dopées dans une région active à puits quantiques multiples comprenant les couches photoémettrices. En outre, du germanium (Ge) peut être utilisé en tant que dopant de type n dans des couches de nitrure III très dopées, car il n'ajoute pas de contrainte significative à un réseau de nitrure du Groupe III tout en maintenant une morphologie souple au-delà d'une concentration de 1E20 cm-3.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)