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1. (WO2015175170) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR RÉDUIRE LES PERTURBATIONS DURANT LA PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE FLASH À GRILLE DIVISÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/175170 N° de la demande internationale : PCT/US2015/026809
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 21.04.2015
CIB :
G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 7/02 (2006.01) ,G11C 16/08 (2006.01) ,G11C 8/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
02
avec des moyens d'éviter les signaux parasites
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
08
Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
10
Décodeurs
Déposants :
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134, US
Inventeurs :
KIM, Jinho; US
LY, Anh; US
MARKOV, Viktor; US
Mandataire :
YAMASHITA, Brent; US
Données relatives à la priorité :
14/275,36212.05.2014US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING DISTURBANCES DURING PROGRAMMING OF SPLIT GATE FLASH MEMORY CELLS
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR RÉDUIRE LES PERTURBATIONS DURANT LA PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE FLASH À GRILLE DIVISÉE
Abrégé :
(EN) An improved control gate decoding design for reducing disturbances during the programming of flash memory cells is disclosed. In one embodiment, a control gate line decoder is coupled to a first control gate line associated with a row of flash memory cells in a first sector and to a second control gate line associated with a row of flash memory cells in a second sector.
(FR) L'invention concerne une conception de décodage de grille de commande améliorée pour réduire les perturbations durant la programmation de cellules de mémoire flash. Dans un mode de réalisation, un décodeur de ligne de grille de commande est couplé à une première ligne de grille de commande associée à une rangée de cellules de mémoire flash dans un premier secteur et à une seconde ligne de grille de commande associée à une rangée de cellules de mémoire flash dans un second secteur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP3143625CN106415725JP2017516253KR1020170017948