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1. (WO2015174271) STRUCTURE D’ÉLECTRODE SUPÉRIEURE POUR DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT POUR DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
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N° de publication : WO/2015/174271 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/062802
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 28.04.2015
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs :
村上 幸一 MURAKAMI Koichi; JP
斎藤 道茂 SAITO Michishige; JP
神原 啓太 KAMBARA Keita; JP
永井 健治 NAGAI Kenji; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
Données relatives à la priorité :
2014-09880912.05.2014JP
Titre (EN) UPPER ELECTRODE STRUCTURE FOR PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA PROCESSING DEVICE, AND OPERATION METHOD FOR PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) STRUCTURE D’ÉLECTRODE SUPÉRIEURE POUR DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT POUR DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置の上部電極構造、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
Abrégé :
(EN) An upper electrode structure that comprises a first plate, a second plate, and an electrostatic attraction part. The first plate has a first region, a second region, and a third region that are provided concentrically, and a plurality of gas discharge openings are formed in each of the regions. The electrostatic attraction part is between the first plate and the second plate and attracts the first plate. The electrostatic attraction part has first, second, and third heaters that are for the first, second, and third regions. The electrostatic attraction part and the second plate provide a first supply channel, a second supply channel, and a third supply channel that supply a gas to the first, second, and third regions. A first gas diffusion chamber, a second gas diffusion chamber, and a third gas diffusion chamber are formed on the electrostatic attraction part.
(FR) L’invention concerne une structure d’électrode supérieure qui comprend une première plaque, une deuxième plaque, et une partie d’attraction électrostatique. La première plaque comporte une première zone, une deuxième zone et une troisième zone qui sont disposées de manière concentrique, et une pluralité d’ouvertures de décharge de gaz sont formées dans chacune des zones. La partie d’attraction électrostatique se situe entre la première plaque et la deuxième plaque et attire la première plaque. La partie d’attraction électrostatique comporte des premier, deuxième et troisième réchauffeurs qui sont destinés aux première, deuxième et troisième zones. La partie d’attraction électrostatique et la deuxième plaque constituent un premier canal d’alimentation, un deuxième canal d’alimentation et un troisième canal d’alimentation qui injectent un gaz dans les première, deuxième et troisième zones. Une première chambre de diffusion de gaz, une deuxième chambre de diffusion de gaz et une troisième chambre de diffusion de gaz sont formées sur la partie d’attraction électrostatique.
(JA)  上部電極構造は、第1のプレート、第2のプレート、及び静電吸着部を備える。第1のプレートは、同心状に設けられた第1の領域、第2の領域及び第3の領域を有し、これら領域の各々には複数のガス吐出口が形成されている。静電吸着部は、第1のプレートと第2のプレートとの間に介在し、第1のプレートを吸着する。静電吸着部は、第1~第3の領域用の第1~第3のヒータを有する。静電吸着部と第2のプレートは、第1~第3の領域にガスを供給する第1の供給経路、第2の供給経路、及び第3の供給経路を提供する。静電吸着部には、第1のガス拡散室、第2のガス拡散室、及び、第3のガス拡散室が形成されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
US20170069470KR1020170004964