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1. (WO2015172835) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR LE REVÊTEMENT D'UN SUBSTRAT PAR DES ENSEMBLES CIBLES ROTATIFS DANS DEUX RÉGIONS DE REVÊTEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/172835 N° de la demande internationale : PCT/EP2014/059975
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 15.05.2014
CIB :
C23C 14/22 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01J 37/34 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
35
par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
56
Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34
fonctionnant par pulvérisation cathodique
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
BENDER, Marcus [DE/DE]; DE (US)
PIERALISI, Fabio [IT/DE]; DE (US)
SCHEER, Evelyn [DE/DE]; DE (US)
SEVERIN, Daniel [DE/DE]; DE (US)
GÄRTNER, Harald [DE/DE]; DE (US)
LINDENBERG, Ralph [DE/DE]; DE (US)
Inventeurs :
BENDER, Marcus; DE
PIERALISI, Fabio; DE
SCHEER, Evelyn; DE
SEVERIN, Daniel; DE
GÄRTNER, Harald; DE
LINDENBERG, Ralph; DE
Mandataire :
ZIMMERMANN & PARTNER; Josephspitalstr. 15 80331 München, DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR COATING A SUBSTRATE BY ROTARY TARGET ASSEMBLIES IN TWO COATING REGIONS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR LE REVÊTEMENT D'UN SUBSTRAT PAR DES ENSEMBLES CIBLES ROTATIFS DANS DEUX RÉGIONS DE REVÊTEMENT
Abrégé :
(EN) According to an embodiment, a sputter deposition apparatus for coating a substrate is provided. The sputter deposition apparatus has two or more coating regions for coating the substrate. The sputter deposition apparatus includes a first substrate guiding system for guiding the substrate in a first coating region, wherein the first substrate guiding system defines a first substrate transport direction. The sputter deposition apparatus further includes a second substrate guiding system for guiding the substrate in a second coating region, the second substrate guiding system defining a second substrate transport direction. The second substrate transport direction is the same direction as the first substrate transport direction or is different from the first substrate transport direction. The sputter deposition apparatus further includes a first cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the first coating region, a second cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the first coating region, a third cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the second coating region, and a fourth cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the second coating region. The first cathode assembly includes: a first rotary target assembly adapted for rotating a target material around a first rotation axis; and a first magnet assembly fixedly positioned in the first rotary target assembly, the first magnet assembly having a first principal plane forming a first angle with a first reference plane which contains the first rotation axis and is perpendicular to the first substrate transport direction. The second cathode assembly includes: a second rotary target assembly adapted for rotating a target material around a second rotation axis; and a second magnet assembly fixedly positioned in the second rotary target assembly, the second magnet assembly having a second principal plane, the second principal plane being parallel to the first principal plane. The third cathode assembly includes: a third rotary target assembly adapted for rotating a target material around a third rotation axis; and a third magnet assembly fixedly positioned in the third rotary target assembly, the third magnet assembly having a third principal plane forming a second angle with a second reference plane which contains the third rotation axis and is perpendicular to the second substrate transport direction, wherein the second angle is different from the first angle. The fourth cathode assembly includes: a fourth rotary target assembly adapted for rotating a target material around a fourth rotation axis; and a fourth magnet assembly fixedly positioned in the fourth rotary target assembly, the fourth magnet assembly having a fourth principal plane, the fourth principal plane being parallel to the third principal plane.
(FR) L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un appareil de dépôt par pulvérisation cathodique pour le revêtement d'un substrat. L'appareil de dépôt par pulvérisation cathodique comprend au moins deux régions de revêtement pour le revêtement du substrat. L'appareil de dépôt par pulvérisation cathodique comprend un premier système de guidage de substrat pour le guidage du substrat dans une première région de revêtement, le premier système de guidage de substrat définissant une première direction de transport de substrat. L'appareil de dépôt par pulvérisation cathodique comprend en outre un second système de guidage de substrat pour le guidage du substrat dans une seconde région de revêtement, le second système de guidage de substrat définissant une seconde direction de transport de substrat. La seconde direction de transport de substrat est la même direction que la première direction de transport de substrat ou est différente de la première direction de transport de substrat. L'appareil de dépôt par pulvérisation cathodique comprend en outre un premier ensemble cathodique conçu pour la production d'une ou plusieurs régions de plasma dans la première région de revêtement, un deuxième ensemble cathodique conçu pour la production d'une ou plusieurs régions de plasma dans la première région de revêtement, un troisième ensemble cathodique conçu pour la production d'une ou plusieurs régions de plasma dans la seconde région de revêtement et un quatrième ensemble cathodique conçu pour la production d'une ou plusieurs régions de plasma dans la seconde région de revêtement. Le premier ensemble cathodique comprend : un premier ensemble cible rotatif conçu pour la rotation d'un matériau cible autour d'un premier axe de rotation ; et un premier ensemble aimant positionné de manière fixe dans le premier ensemble cible rotatif, le premier ensemble aimant ayant un premier plan principal formant un premier angle avec un premier plan de référence qui contient le premier axe de rotation et étant perpendiculaire à la première direction de transport de substrat. Le deuxième ensemble cathodique comprend : un deuxième ensemble cible rotatif conçu pour la rotation d'un matériau cible autour d'un deuxième axe de rotation ; et un deuxième ensemble aimant positionné de manière fixe dans le deuxième ensemble cible rotatif, le deuxième ensemble aimant ayant un deuxième plan principal, le deuxième plan principal étant parallèle au premier plan principal. Le troisième ensemble cathodique comprend : un troisième ensemble cible rotatif conçu pour la rotation d'un matériau cible autour d'un troisième axe de rotation ; et un troisième ensemble aimant positionné de manière fixe dans le troisième ensemble cible rotatif, le troisième ensemble aimant ayant un troisième plan principal formant un second angle avec un second plan de référence qui contient le troisième axe de rotation et étant perpendiculaire à la seconde direction de transport de substrat, le second angle étant différent du premier angle. Le quatrième ensemble cathodique comprend : un quatrième ensemble cible rotatif conçu pour la rotation d'un matériau cible autour d'un quatrième axe de rotation ; et un quatrième ensemble aimant positionné de manière fixe dans le quatrième ensemble cible rotatif, le quatrième ensemble aimant ayant un quatrième plan principal, le quatrième plan principal étant parallèle au troisième plan principal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
KR2020170000267CN206654950