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1. (WO2015172733) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À PUCE RETOURNÉE CONTENANT DU NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/172733 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/079019
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 15.05.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
Déposants :
THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; Clear Water Bay Kowloon Hong Kong, CN
Inventeurs :
LAU, Kei May; CN
CHONG, Wing Cheung; CN
Mandataire :
INSIGHT INTELLECTUAL PROPERTY LIMITED; 19 A, Tower A, InDo Building No. 48A Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098, CN
Données relatives à la priorité :
61/996,74715.05.2014US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE FLIP-CHIP LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À PUCE RETOURNÉE CONTENANT DU NITRURE DE GALLIUM
Abrégé :
(EN) Techniques are provided for forming a gallium nitride flip-chip light-emitting diode. In an aspect, a device is provided that includes a gallium nitride layer, a passivation layer, a set of first conductive layers, and a second conductive layer. The gallium nitride layer is formed on a substrate that includes a first plurality of recesses associated with a first structure and a second plurality of recesses associated with a second structure, where the first plurality of recesses and the second plurality of recesses are associated with a first conductive material. The set of first conductive layers is formed on the passivation layer and corresponds to the first conductive material. The second conductive layer is formed on the passivation layer and corresponds to a second conductive material.
(FR) L'invention concerne des techniques pour la formation d'une diode électroluminescente à puce retournée contenant du nitrure de gallium. Selon un aspect, l'invention concerne un dispositif qui comprend une couche de nitrure de gallium, une couche de passivation, un ensemble de premières couches conductrices et une seconde couche conductrice. La couche de nitrure de gallium est formée sur un substrat qui comprend une première pluralité d'évidements associés à une première structure et une seconde pluralité d'évidements associés à une seconde structure, où la première pluralité d'évidements et la seconde pluralité d'évidements sont associées à un premier matériau conducteur. L'ensemble de premières couches conductrices est formé sur la couche de passivation et correspond au premier matériau conducteur. La seconde couche conductrice est formée sur la couche de passivation et correspond à un second matériau conducteur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
CN106463572US20170092829