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1. (WO2015172586) PUCE D'ÉLÉMENT SENSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/172586 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/071793
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 29.01.2015
CIB :
H01L 37/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
37
Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
utilisant le changement thermique de la constante diélectrique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie
Déposants :
上海硅酸盐研究所中试基地 RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTER, SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS [CN/CN]; 中国上海市 嘉定区城北路215号 215 Chengbei Road, Jiading District Shanghai 201800, CN
中国科学院上海硅酸盐研究所 SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国上海市 长宁区定西路1295号 1295 Dingxi Road, Changning District Shanghai 200050, CN
Inventeurs :
罗豪甦 LUO, Haosu; CN
许晴 XU, Qing; CN
赵祥永 ZHAO, Xiangyong; CN
林迪 LIN, Di; CN
王升 WANG, Sheng; CN
李龙 LI, Long; CN
杨林荣 YANG, Linrong; CN
Mandataire :
上海翰鸿律师事务所 HANHONG LAW FIRM; 中国上海市 南京东路61号新黄浦金融大厦1506-07室 Room 1506-07, New Huangpu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002, CN
Données relatives à la priorité :
201410199521.412.05.2014CN
PCT/CN/2014/08319329.07.2014CN
Titre (EN) SENSITIVE ELEMENT CHIP
(FR) PUCE D'ÉLÉMENT SENSIBLE
(ZH) 一种灵敏元芯片
Abrégé :
(EN) Provided is a sensitive element chip, comprising one or a plurality of pyroelectric relaxor ferroelectric single crystal sensitive elements. An upper and a lower surface of the pyroelectric relaxor ferroelectric single crystal sensitive element are respectively provided with electrodes. An upper electrode arranged on the upper surface is a single electrode, and a lower electrode arranged on the lower surface comprises a left electrode and a right electrode separated from one another. The left electrode and the right electrode are not connected to one another to form the lower electrode as a divided electrode. The present invention reduces dielectric loss and the capacitance of the sensitive element, the pyroelectric coefficient is higher, and the response rate and specific detectivity of a device prepared using the sensitive element chip are increased.
(FR) L'invention concerne une puce d'élément sensible qui comporte un ou plusieurs éléments sensibles à monocristal ferroélectrique, à relaxation et pyroélectrique. Une surface supérieure et une surface inférieure de l'élément sensible à monocristal ferroélectrique, à relaxation et pyroélectrique, sont respectivement munies d'électrodes. Une électrode supérieure, agencée sur la surface supérieure, est une électrode unique, et une électrode inférieure, agencée sur la surface inférieure, comporte une électrode gauche et une électrode droite séparées l'une de l'autre. L'électrode gauche et l'électrode droite ne sont pas connectées l'une à l'autre afin de former l'électrode inférieure comme une électrode divisée. La présente invention permet de réduire la perte diélectrique et la capacité de l'élément sensible, le coefficient pyroélectrique est plus élevé et la vitesse de réponse et la détectivité spécifique d'un dispositif préparé à l'aide de la puce d'élément sensible sont augmentées.
(ZH) 提供一种灵敏元芯片,包括一个或多个热释电弛豫铁电单晶敏感元;所述热释电弛豫铁电单晶敏感元的上下表面分别设有电极,设于所述上表面的上电极为单电极,设于所述下表面的下电极包括互相分离的左电极及右电极,所述左电极和右电极互不连通将所述下电极成型为一分割电极。采用上述技术方案,可降低敏感元的介电损耗和电容,热释电系数更高,并提高采用灵敏元芯片制备的器件的响应率和比探测率。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)