Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Une partie du contenu de cette demande n'est pas disponible pour le moment.
Si cette situation persiste, contactez-nous auObservations et contact
1. (WO2015172549) CHAMBRE DE RÉACTION ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/172549 N° de la demande internationale : PCT/CN2014/092368
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 27.11.2014
CIB :
H01J 37/32 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
Déposants :
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No. 8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventeurs :
张彦召 ZHANG, Yanzhao; CN
佘清 SHE, Qing; CN
陈鹏 CHEN, Peng; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 Tianshu Zhang 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201410202122.913.05.2014CN
Titre (EN) REACTION CHAMBER AND SEMI-CONDUCTOR PROCESSING DEVICE
(FR) CHAMBRE DE RÉACTION ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEUR
(ZH) 反应腔室及半导体加工设备
Abrégé :
(EN) A reaction chamber and semi-conductor processing device, comprising a Faraday shielding ring (21) made of nonconductive magnetic material and an insulating ring (22) made of insulating material; the Faraday shield ring (21) is provided with a slot thereon passing through the ring surface thereof in an axial direction; both the Faraday shielding ring (21) and the insulating ring (22) are disposed in the reaction chamber surrounding the inner peripheral wall of the reaction chamber; the Faraday shielding ring (21) is stacked on the insulating ring (22) in a vertical direction; a shielding ring (211) is disposed surrounding the inner peripheral wall of the insulating ring (22), the shielding ring (211) is connected to an area on the lower surface of the Faraday shielding ring (21) adjacent to the center of the reaction chamber; and the shielding ring (211) is made of the nonconductive magnetic material, and is provided with the slot thereon passing through the ring surface thereof in the axial direction. The reaction chamber and the semi-conductor processing device avoid or reduce the risk of sparking, reduce pollution of the reaction chamber caused by the flaking off of metal particles, and increase the inner diameter and available space of the reaction chamber.
(FR) L'invention concerne une chambre de réaction et un dispositif de traitement de semiconducteur, comprenant un anneau de blindage de Faraday (21) constitué d'un matériau magnétique non conducteur et d'un anneau isolant (22) constitué d'un matériau isolant. L'anneau de blindage de Faraday (21) comporte une fente qui passe à travers la surface de l'anneau dans une direction axiale. L'anneau de blindage de Faraday (21) et l'anneau isolant (22) sont tous deux disposés dans la chambre de réaction entourant la paroi périphérique intérieure de la chambre de réaction. L'anneau de blindage de Faraday (21) est empilé sur l'anneau isolant (22) dans une direction verticale. Un anneau de blindage (211) est disposé de manière à entourer la paroi périphérique intérieure de l'anneau isolant (22), l'anneau de blindage (211) est relié à une zone sur la surface inférieure de l'anneau de blindage de Faraday (21) qui est voisine du centre de la chambre de réaction; et l'anneau de blindage (211) est constitué du matériau magnétique non conducteur et est pourvu de la fente sur celui-ci qui passe à travers la surface d'anneau de celui-ci dans la direction axiale. La chambre de réaction et le dispositif de traitement de semiconducteur préviennent ou réduisent le risque de formation d'étincelles, réduisent la pollution de la chambre de réaction provoquée par l'écaillage de particules métalliques, et augmentent le diamètre intérieur et l'espace disponible de la chambre de réaction.
(ZH) 一种反应腔室及半导体加工设备,包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环(21)和采用绝缘材料制成的绝缘环(22),在法拉第屏蔽环(21)上开设有沿轴向贯穿其环面的开缝,法拉第屏蔽环(21)和绝缘环(22)均环绕反应腔室的内周壁而设置在反应腔室内,且法拉第屏蔽环(21)沿竖直方向叠置在绝缘环(22)上。其中,环绕绝缘环(22)的内周壁设置有遮蔽环(211),该遮蔽环(211)与法拉第屏蔽环(21)下表面上的靠近反应腔室中心的区域连接,该遮蔽环(211)采用不导磁的材料制成且在其上开设有沿轴向贯穿其环面的开缝。反应腔室及半导体加工设备不仅可以避免降低打火风险,而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染;另外,可以增大反应腔室的内径和可利用空间。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)
Also published as:
SG11201608815XUS20170154758KR1020160144497