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1. (WO2015171699) CROISSANCE RÉGULÉE DE FILS NANOMÉTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/171699 N° de la demande internationale : PCT/US2015/029373
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 06.05.2015
CIB :
G02B 6/26 (2006.01) ,B05D 5/06 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24
Couplage de guides de lumière
26
Moyens de couplage optique
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
5
Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers
06
pour obtenir des effets multicolores ou d'autres effets optiques
Déposants :
PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US/US]; 17 Quincy Street Cambridge, MA 02138, US
Inventeurs :
LIEBER, Charles, M.; US
DAY, Robert; US
MANKIN, Max, Nathan; US
GAO, Ruixuan; US
KEMPA, Thomas, J.; US
Mandataire :
CHEN, Tani; US
Données relatives à la priorité :
61/989,90407.05.2014US
Titre (EN) CONTROLLED GROWTH OF NANOSCALE WIRES
(FR) CROISSANCE RÉGULÉE DE FILS NANOMÉTRIQUES
Abrégé :
(EN) The present invention generally relates to nanoscale wires, and to methods of producing nanoscale wires. In some aspects, the nanoscale wires are nanowires comprising a core which is continuous and a shell which may be continuous or discontinuous, and/or may have regions having different cross- sectional areas. In some embodiments, the shell regions are produced by passing the shell material (or a precursor thereof) over a core nanoscale wire under conditions in which Plateau-Raleigh crystal growth occurs, which can lead to non-homogenous deposition of the shell material on different regions of the core. The core and the shell each independently may comprise semiconductors, and/or non-semiconductor materials such as semiconductor oxides, metals, polymers, or the like. Other embodiments are generally directed to systems and methods of making or using such nanoscale wires, devices containing such nanoscale wires, or the like.
(FR) La présente invention se rapporte de manière générale à des fils nanométriques et à des procédés de production de fils nanométriques. Selon certains aspects, les fils nanométriques sont des nanofils comprenant un cœur qui est continu et une coque qui peut être continue ou discontinue et/ou peuvent comporter des régions ayant différentes surfaces de section transversale. Selon certains modes de réalisation, les régions de coque sont produites par passage du matériau de coque (ou d'un précurseur de celui-ci) sur un fil nanométrique central dans des conditions dans lesquelles se produit la croissance de cristaux de Plateau-Raleigh, qui peut conduire à un dépôt non homogène du matériau de coque sur différentes régions du cœur. Le cœur et la coque peuvent chacun indépendamment comprendre des semi-conducteurs et/ou des matériaux non semi-conducteurs, tels que des oxydes semi-conducteurs, des métaux, des polymères, ou analogues. D'autres modes de réalisation concernent de manière générale des systèmes et des procédés de fabrication ou d'utilisation de tels fils nanométriques, des dispositifs contenant de tels fils nanométriques, ou analogues.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
US20170073841