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1. (WO2015171684) MÉMOIRE FLASH NON VOLATILE À 4 BITS OU MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/171684 N° de la demande internationale : PCT/US2015/029353
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 06.05.2015
CIB :
G11C 11/00 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
G PHYSIQUE
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ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
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utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
Déposants :
I AM BRILLIANT TECHNOLOGY CORPORATION; 14C Shore Road Waterford, CT 06385, US
Inventeurs :
FONG, John, Yit; US
Mandataire :
ONOFRIO, Dara, Lynn; US
Données relatives à la priorité :
61/989,76607.05.2014US
61/992,74113.05.2014US
61/992,77313.05.2014US
61/994,25416.05.2014US
Titre (EN) 4 BIT NONVOLATILE FLASH OR VARIABLE RESISTANCE MEMORY
(FR) MÉMOIRE FLASH NON VOLATILE À 4 BITS OU MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE
Abrégé :
(EN) A semiconductor memory device including a plurality of word lines; a plurality of bit lines; at least two potential lines, a BL and WL matrix line of at least Floating Gate (FG) or Variable Resistance (VR) M+N memory cells; wherein across the matrix line of cells said M and N FG/VR cells are supplied by potential lines, and are encoded with two different physical representations of at least: B= LOG2(2 said potential lines) = 1 bit of, said FG/VR memory cell/potential line combination, nonvolatile data; wherein encoded and stored across said matrix line of cells there are at least a combined: (said M+N) said different 1f nonvolatile #s of potential line combination data plus (said. M+N) 1b nonvolatile said floating gate/variable resistance data bits; wherein each said M and said N FG/VR cell stores a said combined 2 bits of nonvolatile data.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprenant une pluralité de lignes de mots ; une pluralité de lignes de bit ; au moins deux lignes de potentiel, une ligne de matrice BL et WL de deux cellules mémoire M+N à grille flottante (FG) ou résistance variable (VR) ou plus ; les cellules FH/VR M+N étant alimentées par les lignes de potentiel dans la ligne de matrice de cellules, et sont codées avec deux représentations physiques différentes d'au moins : B = LOG2 (les deux lignes de potentiel) = 1 bit de données non volatiles de l'ensemble cellule mémoire FG-VR/ligne de potentiel ; et, codés et enregistrés dans la ligne de matrice de cellules, on retrouve au moins : (lesdits M+N) lesdites données d'ensemble de ligne de potentiel et de nombre non volatiles 1f + (lesdits M+N) les bits de donnée FG/VR non volatiles 1b ; chacune desdites cellules FG/VR M et N enregistrant ledit ensemble de 2 bits de données non volatiles.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)